ASML удвоила мощность EUV-источника до 1000 Вт благодаря китайским учёным

Нидерландская компания ASML, единственный в мире производитель массовых установок для экстремальной ультрафиолетовой (EUV) литографии, объявила о технологическом прорыве. Инженерам удалось удвоить мощность источника EUV-излучения — с 600 до 1000 Вт.

Это революционное улучшение напрямую повлияет на производительность литографических систем. Если текущие машины с мощностью 600 Вт обрабатывают около 220 кремниевых пластин в час, то после модернизации до 1000 Вт этот показатель вырастет до 330 пластин в час, что означает увеличение производительности на 50%.

Прорыв был достигнут за счёт изменения технологии генерации ультрафиолетового света. ASML заменила предварительный импульс с длиной волны 10 микрометров на импульс PP с длиной волны 1 микрометр. Кроме того, частота выброса капель олова была увеличена с 50 000 до 100 000 в секунду, что позволило генерировать значительно больше излучения.

По данным компании, эта технология не только позволяет достичь мощности в 1000 Вт, но и открывает путь для дальнейшего роста — до 1500 Вт и даже 2000 Вт в будущем. Это означает, что себестоимость производства передовых полупроводниковых чипов с использованием EUV-литографии будет продолжать снижаться. Однако до серийного внедрения новой технологии в коммерческие продукты пройдёт ещё несколько лет.

Интересный факт: ключевую роль в разработке этой технологии сыграли китайские исследователи. Среди авторов научной работы, посвящённой прорыву, значатся Цюши Чжу (Qiusi Zhu), Юэ Ма (Yue Ma) и Хайнанин Ван (Hainanin Wang). Причём Хайнанин Ван является не только первым автором статьи, но и основным докладчиком по данной работе.

Согласно его резюме, более 20 лет назад он получил в Китае Национальную премию как выдающийся студент-иностранец, обучающийся за свой счет. В 2016 году он защитил докторскую диссертацию в Корнельском университете (США) и в том же году присоединился к ASML в качестве учёного и архитектора в отделе исследований EUV, где сосредоточился на фундаментальной физике процессов плазмы, используемой для генерации излучения.

Это достижение ещё больше укрепляет доминирующее положение ASML на рынке передового оборудования для производства чипов и создаёт серьёзные барьеры для потенциальных конкурентов. Успех международной команды, включающей талантливых учёных из Китая, также подчёркивает глобальный характер современных высокотехнологичных разработок.