Samsung объявила о прорыве в технологии 10-нм DRAM

Компания Samsung объявила, что совместно с Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) успешно разработала новый тип транзистора, который позволит производить память DRAM по техпроцессу менее 10 нанометров.

Этот прорыв, как ожидается, решит ключевые физические проблемы, препятствующие дальнейшему уменьшению размеров мобильной памяти, и откроет путь к созданию устройств с большей емкостью и производительностью.

Миниатюризация традиционных DRAM-процессов сталкивается с серьезными трудностями при переходе к узлам менее 10 нм из-за физических ограничений.

Новый транзистор Samsung, названный «высокотемпературным аморфным оксидным полупроводниковым транзистором» (High-Temperature Amorphous Oxide Semiconductor Transistor), отличается исключительной термической стабильностью. Он способен сохранять свои характеристики при температурах до 550 градусов Цельсия, что соответствует требованиям передовых производственных процессов.

Транзистор имеет вертикальную конструкцию канала длиной всего 100 нанометров и может быть интегрирован в архитектуру DRAM с монолитным расположением контактов на кристалле (CoP). Результаты тестов показали стабильные характеристики тока стока и высокую надежность в ходе длительных испытаний на старение.

Samsung заявила, что эта технология планируется к применению в будущих продуктах DRAM классов 0a и 0b и в настоящее время находится на стадии исследований.

Ожидается, что чипы памяти с этой технологией помогут Samsung сохранить конкурентоспособность на рынке высокоплотной памяти и начнут появляться в конечных устройствах, начиная с 2026 года.

ИИ: Это важный шаг в развитии полупроводниковой индустрии. Если Samsung действительно сможет коммерциализировать эту технологию к 2026 году, это может дать ей значительное преимущество в «гонке памяти» и ускорить появление смартфонов и других устройств с гораздо большим объемом оперативной памяти без увеличения физического размера или энергопотребления.