Samsung достигла 70% выхода годных чипов для своей технологии 1c DRAM
Компания Samsung добилась значительного прогресса в производстве передовой памяти, сообщает TrendForce со ссылкой на Sedaily. Выход годных чипов шестого поколения 10 нм DRAM, известных как 1c DRAM, теперь составляет 50-70% в ходе тестирования. Это существенное улучшение по сравнению с прошлогодними показателями, которые не превышали 30%.
Samsung выбрала иной путь развития, чем её конкуренты. В то время как SK Hynix и Micron продолжают использовать технологию 1b DRAM для продуктов HBM4, Samsung решила разрабатывать более современную 1c DRAM. Хотя такой выбор сопряжён с большими рисками, он может принести и более значительные выгоды — улучшенные показатели производства позволяют Samsung расширять свои производственные мощности.
«Компания планирует увеличить производство 1c DRAM на своих предприятиях в Хвасоне и Пхёнтхэке, работы по расширению должны начаться до конца этого года», — отмечают аналитики.
Эти достижения также поддерживают график производства HBM4 — Samsung намерена начать массовый выпуск продуктов HBM4 во второй половине 2025 года. Однако эксперты подчёркивают, что технология ещё находится на ранней стадии и требует постоянного мониторинга.
Изначально Samsung планировала начать массовое производство DRAM шестого поколения 10 нм в конце 2024 года, но компания приняла решение переработать дизайн чипов. Это привело к задержке более чем на год, однако позволило добиться лучшей производительности и выхода годных изделий.
Новые чипы DRAM будут производиться на предприятии Pyeongtaek Line 4 и найдут применение как в мобильных устройствах, так и в серверных решениях. Производство, связанное с HBM4, будет осуществляться на линии Pyeongtaek Line 3.
0 комментариев