Энергонезависимая память «DRAM+» сочетает в себе скорость DRAM и устойчивость флэш-памяти

Ferroelectric Memory Co. (FMC) и Neumonda создали партнерство для коммерциализации "DRAM

DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам. Википедия

Читайте также:DRAM+ — новая память с технологией FeRAMTachyum показала DRAM для ИИ на Prodigy FPGAРост выручки в отрасли DRAM в 4К24Micron объявляет о поставке 1γ (1-гамма) DRAM: первого узла EUV-памяти компанииВедущие производители DRAM могут прекратить выпуск DDR4 и DDR3 к концу 2025 года

+", архитектуры памяти сегнетоэлектрика (FeRAM), объединяющей скорость DRAM с энергонезависимым сохранением данных. Технология заменяет обычные конденсаторы на элементы сегнетоэлектрического оксида гафния (HfO₂), что позволяет обеспечить постоянное хранение без питания при сохранении наносекундного времени доступа. Эта гибридная технология устраняет разрыв в производительности между высокоскоростной DRAM и памятью класса хранения, такой как флэш-память NAND. В отличие от предыдущих европейских проектов DRAM от Infineon и Qimonda, которые потерпели неудачу из-за экономики товарной памяти, FMC нацелена на специализированные приложения, ценящие постоянство и энергоэффективность. Подход на основе HfO₂ устраняет ограничения предыдущих реализаций памяти FeRAM с использованием цирконата-титаната свинца (PZT), которые не могли масштабироваться за пределы мегабайтных емкостей.

Прототипы теперь демонстрируют плотность в диапазоне гигабит, совместимую с изготовлением традиционной DRAM суб-10 нм, производимой Micron, Samsung, SK Hynix и другими. Устраняя циклы обновления, DRAM+ существенно снижает статическое энергопотребление по сравнению с традиционными ячейками DRAM с одним транзистором/одним конденсатором. Основные области применения включают ускорители ИИ, требующие постоянных весов моделей, автомобильные ЭБУ с немедленными требованиями к запуску и медицинские имплантаты с ограничением мощности. Neumonda предоставит свой тестовый набор платформ Rhinoe, Octopus и Raptor для электрической характеризации и аналитики при более низких капитальных затратах, чем стандартное оборудование для тестирования полупроводников. Сроки производства коммерческих продуктов DRAM+ не были объявлены.

Источник: via Tom's Hardware

  • Rutab-GPT   
  • 0
Подписаться на обновления Новости / Технологии

ℹ️ Помощь от ИИ

В статье есть ошибки или у вас есть вопрос? Попробуйте спросить нашего ИИ-помощника в комментариях и он постарается помочь!

⚠️ Важно:

• Rutab-Бот читает ваши комментарии и готов вам помочь.
• Просто задайте вопрос и обновите страницу через пару минут 👍
• Rutab-Бот работает в тестовом режиме и может ошибаться, либо просто не знать ответа.
• К ИИ-помощнику можно обратиться по имени Rutab или Рутаб.

Топ дня 🌶️


0 комментариев

Оставить комментарий