Энергонезависимая память «DRAM+» сочетает в себе скорость DRAM и устойчивость флэш-памяти
DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам. Википедия
Читайте также:DRAM+ — новая память с технологией FeRAMTachyum показала DRAM для ИИ на Prodigy FPGAРост выручки в отрасли DRAM в 4К24Micron объявляет о поставке 1γ (1-гамма) DRAM: первого узла EUV-памяти компанииВедущие производители DRAM могут прекратить выпуск DDR4 и DDR3 к концу 2025 года
Прототипы теперь демонстрируют плотность в диапазоне гигабит, совместимую с изготовлением традиционной DRAM суб-10 нм, производимой Micron, Samsung, SK Hynix и другими. Устраняя циклы обновления, DRAM+ существенно снижает статическое энергопотребление по сравнению с традиционными ячейками DRAM с одним транзистором/одним конденсатором. Основные области применения включают ускорители ИИ, требующие постоянных весов моделей, автомобильные ЭБУ с немедленными требованиями к запуску и медицинские имплантаты с ограничением мощности. Neumonda предоставит свой тестовый набор платформ Rhinoe, Octopus и Raptor для электрической характеризации и аналитики при более низких капитальных затратах, чем стандартное оборудование для тестирования полупроводников. Сроки производства коммерческих продуктов DRAM+ не были объявлены.
Источник: via Tom's Hardware
0 комментариев