DRAM+ — новая память с технологией FeRAM
DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам. Википедия
Читайте также:Tachyum показала DRAM для ИИ на Prodigy FPGAРост выручки в отрасли DRAM в 4К24Micron объявляет о поставке 1γ (1-гамма) DRAM: первого узла EUV-памяти компанииВедущие производители DRAM могут прекратить выпуск DDR4 и DDR3 к концу 2025 годаKIOXIA выпустила ПО AiSAQ для снижения потребности в DRAM
FMC специализируется на памяти, которая использует сегнетоэлектрический оксид гафния (HfO₂) для создания DRAM+, сохраняющего данные без питания. Технология заменяет типичный конденсатор в DRAM на энергонезависимую версию, сохраняя высокую производительность, добавляя энергоэффективность и сохранение данных. FMC считает, что ее память может использоваться для широкого спектра приложений, включая ИИ, автомобильную, потребительскую, промышленную и медицинскую.
Старые технологии FeRAM (обычно использующие цирконат-титанат свинца, или PZT, в качестве сегнетоэлектрического слоя) были ограничены по емкости. Большинство коммерческих продуктов достигали нескольких мегабайт, причем 4 МБ или 8 МБ были довольно распространены. PZT плохо масштабируется с уменьшением узлов процесса, а интеграция со стандартными процессами CMOS сложна и затратна. В результате структуры ячеек, такие как 1T1C (один транзистор, один конденсатор), занимали больше площади, чем DRAM или NAND.
Переход на оксид гафния меняет правила игры. HfO₂ совместим с КМОП, масштабируется значительно ниже 10 нм и может быть интегрирован в существующие процессы производства полупроводников. Таким образом, его использование обеспечивает более высокую плотность и производительность, потенциально в диапазоне от гигабита до гигабайта, приближая его к DRAM.
«FMC была основана для использования революционного изобретения сегнетоэлектрического эффекта HfO2 для полупроводниковой памяти. Применительно к DRAM он превращает конденсатор DRAM в энергонезависимое запоминающее устройство с низким энергопотреблением, сохраняя при этом высокую производительность DRAM, чтобы создать революционную энергонезависимую память DRAM, идеальную для вычислений ИИ», — пояснил Томас Рюкес, генеральный директор FMC. «Поскольку наша технология уникальна на рынке, экономически эффективное тестирование наших продуктов памяти имеет большое значение для наших продуктовых предложений. Благодаря Neumonda и ее радикально новому подходу к тестированию мы нашли партнера, который может помочь нам ускорить разработку наших продуктов. Мы также рады работать с Neumonda, поскольку разделяем общее видение возвращения памяти в Европу».
Neumonda поддержит FMC, консультируя и предоставляя доступ к своим передовым тестовым системам: Rhinoe, Octopus и Raptor. Эти платформы предназначены для недорогого, энергоэффективного и независимого тестирования памяти. Системы Neumonda предлагают подробный анализ, который невозможен с традиционным оборудованием, и работают при значительно меньших затратах.
Вместе эти две компании продвигают новый продукт памяти, а также закладывают основу для более широкого возрождения европейских полупроводниковых возможностей. Их совместные усилия направлены на восстановление местной экосистемы для передового проектирования и тестирования памяти.
«Поскольку наши тестовые платформы совершенствуются, продукция FMC является идеальным полигоном для проверки возможностей наших тестеров Rhinoe, Octopus и Raptor, а также высококачественного выхода продукции, который они обеспечивают», — пояснил Петер Похмюллер, генеральный директор Neumonda. «Одной из моих личных целей при основании Neumonda было возвращение полупроводниковой памяти в Европу. Благодаря этому сотрудничеству мы делаем большой шаг к созданию нового немецкого производителя памяти».
Источник: Tomshardware.com
0 комментариев