Samsung планирует использовать технологию гибридного соединения (hybrid bonding) для своей памяти HBM4, чтобы снизить тепловыделение и обеспечить сверхширокий интерфейс памяти. Об этом компания сообщила на форуме AI Semiconductor Forum в Сеуле. В то же время конкурент Samsung, SK hynix, может
Читать дальше →
В 2025 году большинство новостей о высокоскоростной памяти (HBM) касались продуктов SK hynix и Micron. Однако Samsung Electronics в своих финансовых отчетах за первый квартал упомянула о работе над «улучшенными продуктами HBM3E». В конце апреля конкурент Samsung представил революционное решение
Читать дальше →
