Micron начала отгрузку образцов памяти HBM4: 12-слойные модули на 36 ГБ с пропускной способностью 2 ТБ/с
Компания Micron объявила о значительном прогрессе в разработке архитектуры HBM4. Новые модули памяти будут использовать 12-слойную (12-Hi) компоновку DRAM-чипов, что обеспечит емкость 36 ГБ на один пакет. Первые инженерные образцы уже в ближайшие недели начнут поставляться ключевым партнерам, а массовое производство запланировано на начало 2026 года.
HBM4 основан на производственном процессе 1β («one-beta»), который Micron использует с 2022 года. Позже в этом году компания планирует внедрить более совершенный процесс 1γ («one-gamma») с применением EUV-литографии для DDR5. Увеличение ширины интерфейса с 1024 до 2048 бит на стек позволяет достичь пропускной способности 2 ТБ/с — на 20% выше, чем у текущего стандарта HBM3E.
Ожидается, что NVIDIA и AMD станут первыми клиентами Micron для HBM4. NVIDIA планирует использовать эти модули в своих будущих AI-ускорителях Rubin-Vera во второй половине 2026 года. AMD, вероятно, интегрирует HBM4 в следующее поколение ускорителей Instinct MI400 — подробности могут быть раскрыты на конференции Advancing AI 2025.
Увеличенные емкость и пропускная способность HBM4 помогут удовлетворить растущие потребности в генеративном ИИ, высокопроизводительных вычислениях и других задачах, требующих интенсивной работы с данными. Однако перед началом массового производства Micron предстоит решить вопросы с тепловыделением и провести тесты в реальных условиях.
Источник: Micron
0 комментариев