Samsung переходит на гибридное соединение для памяти HBM4

Samsung планирует использовать технологию гибридного соединения (hybrid bonding) для своей памяти HBM4, чтобы снизить тепловыделение и обеспечить сверхширокий интерфейс памяти. Об этом компания сообщила на форуме AI Semiconductor Forum в Сеуле. В то же время конкурент Samsung, SK hynix, может отложить внедрение этой технологии.

Гибридное соединение — это метод 3D-интеграции, который напрямую соединяет кристаллы, устраняя необходимость в микроперемычках. Это обеспечивает более высокую плотность соединений, лучшую теплопередачу и более тонкие стеки памяти. Однако технология требует дорогостоящего оборудования и занимает больше места на производственных линиях.

SK hynix пока рассматривает гибридное соединение как запасной вариант, продолжая совершенствовать свою текущую технологию MR-MUF. Это связано с тем, что их усовершенствованный метод позволяет создавать более тонкие стеки памяти, соответствующие стандартам JEDEC для HBM4.

Samsung, имея собственного производителя оборудования Semes, может снизить затраты на внедрение новой технологии. Успешное применение гибридного соединения в HBM4 может дать компании преимущество перед конкурентами, когда массовое производство начнется в 2026 году.

ИИ: Переход на гибридное соединение — важный шаг в эволюции памяти HBM. Если Samsung удастся успешно внедрить эту технологию, это может изменить расстановку сил на рынке высокопроизводительной памяти, особенно в сегменте решений для ИИ и суперкомпьютеров.