SK hynix начала массовое производство памяти HBM4 с пропускной способностью свыше 10 Гбит/с

SK hynix официально завершила разработку памяти HBM4 и объявила о запуске полномасштабного производства чипов нового поколения для самых требовательных применений в сфере искусственного интеллекта и центров обработки данных. Это ещё один шаг, укрепляющий позиции корейского производителя как лидера в сегменте памяти для ИИ.

Новые модули HBM4 предлагают пропускную способность свыше 10 Гбит/с — значительно выше стандарта JEDEC (8 Гбит/с) — и более чем на 40% лучшую энергоэффективность по сравнению с предыдущим поколением. Это стало возможным благодаря удвоению количества линий ввода-вывода до 2048, что позволило удвоить пропускную способность и снизить риск узких мест при обработке огромных объёмов данных.

Согласно оценкам SK hynix, применение HBM4 в инфраструктуре ИИ может повысить производительность сервисов до 69%, одновременно значительно сократив затраты на электроэнергию в дата-центрах.

В производстве использован проверенный процесс Advanced MR-MUF и технология 1bnm (пятое поколение 10-нм литографии), что минимизирует риски проблем при масштабировании.

Завершение разработки HBM4 — это новая веха для всей отрасли, — заявил глава подразделения HBM в SK hynix Чу Джован. — Благодаря поставке продуктов, отвечающих потребностям клиентов в производительности, энергоэффективности и надёжности, мы сохраним нашу конкурентоспособность на рынке ИИ.

Компания подчеркивает, что HBM4 представляет собой «символический поворотный момент» в развитии инфраструктуры искусственного интеллекта и фундамент для построения полноценной экосистемы памяти ИИ, включающей продукты различной производительности и высочайшего качества.