Учёные разработали метод прямого синтеза мемристоров из нитрида бора на чипе

/ НаукаНовости / Наука

Бестрансферные мемристоры hBN, созданные с помощью CMOS-совместимого PECVD. A) Схема процесса роста. B) Оптическое изображение прямого синтеза hBN методом низкотемпературного PECVD на кремниевой пластине диаметром 25,4 мм. Автор: Nature Nanotechnology (2025). DOI: 10.1038/s41565-025-01988-z

Исследователи из Университета Аризоны, Научно-технологического университета имени короля Абдаллы (KAUST) и других институтов разработали новую масштабируемую стратегию выращивания плёнок гексагонального нитрида бора (hBN) при температурах, совместимых с CMOS-технологией, и создания мемристоров, которые можно интегрировать с существующей электроникой.

Мемристоры — это электронные компоненты, способные как хранить, так и обрабатывать информацию, выступая одновременно в роли памяти и резисторов. Нитрид бора особенно перспективен для создания таких устройств благодаря своей выдающейся электронной, механической и химической стабильности.

Предложенный метод, описанный в журнале Nature Nanotechnology, использует технику химического осаждения из паровой фазы с плазменным усилением и электронно-циклотронным резонансом (ECR-PECVD). Это позволяет осаждать hBN непосредственно на пластины без необходимости переноса, при температурах ниже 380°C.

«Интеграция мемристоров hBN с кремниевой CMOS-электроникой сталкивалась с трудностями, поскольку требовала либо высокотемпературного синтеза, либо методов переноса, которые вносят дефекты, влияющие на производительность и надёжность устройств», — отмечают авторы исследования.

Созданные плёнки демонстрируют высокую однородность на уровне пластины и поликристаллическую структуру. Исследователи реализовали большой массив мемристоров hBN с высоким выходом годных (~90%), стабильностью и возможностью многуровневой работы (>16 состояний).

Устройства показали исключительную долговечность, выдерживая миллионы циклов перепрограммирования. Это представляет важный шаг к полноценной интеграции мемристорной электроники на основе hBN с современными CMOS-технологиями.

Больше информации: Jing Xie et al, On-chip direct synthesis of boron nitride memristors, Nature Nanotechnology (2025). DOI: 10.1038/s41565-025-01988-z

Подписаться на обновления Новости / Наука
Зарегистрируйтесь на сайте, чтобы отключить рекламу

ℹ️ Помощь от ИИ

В статье есть ошибки или у вас есть вопрос? Попробуйте спросить нашего ИИ-помощника в комментариях и он постарается помочь!

⚠️ Важно:

• AI Rutab читает ваши комментарии и готов вам помочь.
• Просто задайте вопрос 👍
• ИИ может давать неточные ответы!
• ИИ не скажет «Я не знаю», но вместо этого может дать ошибочный ответ.
• Всегда проверяйте информацию и не полагайтесь на него как на единственный источник.
• К ИИ-помощнику можно обратиться по имени Rutab или Рутаб.

Топ дня 🌶️


0 комментариев

Оставить комментарий


Все комментарии - Наука