SK Hynix наращивает производство 1c DRAM с выходом годных 80%
Компания SK Hynix ускоряет развитие своей 10-нанометровой DRAM-памяти шестого поколения (1c), увеличив инвестиции в оборудование для экстремального ультрафиолетового излучения (EUV) примерно в три раза по сравнению с первоначальным планом.
Как сообщают источники в отрасли, SK Hynix сосредоточила усилия на разработке технологии 1c DRAM для использования в основном чипе своей высокоскоростной памяти (HBM) седьмого поколения HBM4E. Поставки образцов планируется начать уже в этом году.
Такое ускорение связано с планами Nvidia, крупнейшего клиента по HBM, запустить свой ускоритель искусственного интеллекта следующего поколения «Vera Rubin Ultra» на базе HBM4E во второй половине 2027 года.
Для перехода на новую технологию SK Hynix планирует внедрить EUV-сканеры на нескольких производственных линиях, включая заводы Cheongju M15X, Icheon M16 и первый завод в полупроводниковом кластере Йонгин.
По данным экспертов, процент выхода годных DRAM-чипов по технологии 1c у SK Hynix уже достиг 80%. Компания намерена в этом году перевести более половины своих мощностей по производству DRAM на технологию 1c и рассчитывает к концу года выйти на производство примерно 190 000 пластин в месяц.
Интересный факт: Техпроцесс 1c (10-нм шестого поколения) является одним из самых передовых в производстве DRAM-памяти. Высокий выход годных (80%) на ранних этапах освоения технологии свидетельствует об отлаженности процесса и позволяет быстрее наращивать объёмы для удовлетворения растущего спроса со стороны рынка искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений.
0 комментариев