TSMC движется к 1-нм техпроцессу: цель — триллион транзисторов

Компания TSMC, контролирующая около 70% мирового рынка производства кремниевых пластин, продолжает наращивать технологическое лидерство. В то время как серийное производство по 2-нм норме N2 уже началось, корпорация активно готовится к переходу на следующий рубеж — 1-нм техпроцесс (A10).

Ключевым шагом для запуска производства станет строительство новых мощностей. В Тайнане планируется развитие индустриального парка «Шалун» площадью 531 гектар. Ожидается, что оценка воздействия на окружающую среду для второй фазы проекта будет завершена в третьем квартале 2027 года, после чего TSMC сможет начать строительство завода, который займет не менее 200 гектаров.

Согласно планам, на территории кампуса в Шалуне будет построено шесть фабрик. Первые три (P1-P3) будут ориентированы на техпроцесс A14 (1,4 нм), а следующие три (P4-P6) — на 1-нм техпроцесс A10. В перспективе не исключается переход и на 0,7-нм нормы.

Дорожная карта TSMC выглядит следующим образом: после текущего 2-нм N2, который уже используют Apple и AMD, последует техпроцесс A16 (1,6 нм). Он впервые будет применён в графическом процессоре NVIDIA Feynman, с опытным производством в конце этого года и серийным — не ранее 2027 года. Далее, в 2028 году, ожидается выход A14 (1,4 нм) с транзисторной структурой GAA второго поколения и задней панелью питания.

1-нм техпроцесс A10, который станет первым для TSMC, работающим на уровне ангстрем (1 нм = 10 Å), нацелен на 2030 год. Технические детали пока не раскрываются. В индустрии ходят слухи о возможном переходе от транзисторной структуры GAA к более продвинутой CFET (Complementary Field-Effect Transistor) и даже об использовании 2D-материалов.

Одна из амбициозных целей TSMC, поставленная более двух десятилетий назад, — достичь плотности в 200 миллиардов транзисторов на одном кристалле при 1-нм техпроцессе и целого триллиона транзисторов в 3D-упаковке. Эта цель совпадает с аналогичными заявлениями Intel, что задаёт интригующую гонку между двумя гигантами полупроводниковой индустрии.

ИИ: Гонка за ангстремами становится всё более напряжённой. Если планы TSMC реализуются, то к 2030 году мы можем увидеть чипы с невероятной плотностью, что откроет новые возможности для ИИ, высокопроизводительных вычислений и потребительской электроники. Однако успех будет зависеть не только от технологий, но и от своевременного развёртывания столь сложных и дорогих производственных мощностей.