Samsung сокращает производство HBM3E в пользу обычной памяти для повышения прибыли

Компания Samsung корректирует свою производственную стратегию в сегменте DRAM-памяти. Согласно сообщениям СМИ, южнокорейский гигант планирует сократить на 30–40% мощности по выпуску памяти HBM3E, которая производится по техпроцессу 1a нм.

Освободившиеся производственные линии будут переведены на более новый техпроцесс 1b нм для выпуска стандартных модулей памяти, таких как DDR5 и LPDDR5x. Целью этого шага является максимизация общей прибыльности.

Решение связано с резким ростом спроса на решения для искусственного интеллекта, который привёл к дефициту производственных мощностей и стремительному росту цен на универсальные модули памяти. Аналитики отмечают, что рентабельность производства по техпроцессу 1b нм для Samsung уже превысила рентабельность линии 1a нм, которая традиционно использовалась для дорогой памяти HBM.

Хотя Samsung в итоге стала поставщиком памяти HBM3E для NVIDIA, объёмы её поставок остаются ограниченными, а средняя цена продажи этой памяти примерно на 30% ниже, чем у основного конкурента — компании SK Hynix.

Ожидается, что переключение 30–40% мощностей с техпроцессов 1a нм и более старых (например, 1z нм) на 1b нм позволит увеличить ежемесячный объём выпуска пластин по новому процессу ещё на 80 000 штук, что должно существенно повысить общую прибыль Samsung.