Samsung удвоит производство 2-нм чипов и привлечет пять ключевых клиентов

Согласно отчету Counterpoint Research, Samsung планирует увеличить ежемесячную мощность своего технологического процесса 2 нм до 21 000 пластин к концу 2026 года, что на 163% больше, чем в 2025 году.

Ключ к достижению этой цели — преодоление существующих технологических барьеров. Samsung концентрирует свои ресурсы на повышении производительности и одновременном усилении исследований и разработок в области управления технологическим процессом.

В отчете также раскрыт список пяти основных клиентов: ИИ-чипы Tesla, процессор Exynos 2600 собственной разработки Samsung, чипы для майнинга криптовалют MicroBT и Canaan, а также мобильная платформа Snapdragon 8s Elite пятого поколения от Qualcomm.

Ожидается, что Exynos 2600 станет первой серийно выпускаемой SoC с техпроцессом SF2, а флагманский чип Qualcomm, как ожидается, будет завершен в начале 2026 года, что откроет путь к массовому производству.

В настоящее время TSMC занимает доминирующее положение на мировом рынке литейных изделий с долей 70,2%, в то время как Samsung занимает второе место с долей всего 7,3%. Samsung поставила перед собой стратегическую цель для своего литейного бизнеса — выйти на рентабельность и занять 20% рынка в течение двух лет. Ключевые направления развития компании включают в себя: постоянное повышение выхода годных изделий по технологии 2 нм, развитие массового производства на заводе в Тейлоре (США) и углубление долгосрочного сотрудничества с ценными клиентами.

Если эти меры будут успешно реализованы, Samsung сможет значительно сократить отставание от TSMC в области передовых технологических процессов.

Полупроводниковые чипы 2-нм класса представляют собой следующее поколение микрочипов, которые позволяют размещать больше транзисторов на той же площади, что повышает производительность и энергоэффективность. В настоящее время гонка за освоение 2-нм технологий ведется между такими компаниями, как TSMC, Samsung и Intel, причем первые серийные продукты ожидаются к 2026 году.