Nvidia стремится к 10 Гбит/с HBM4, чтобы опередить AMD MI450

Nvidia оказывает давление на своих поставщиков памяти, требуя выйти за пределы официальных спецификаций JEDEC для HBM4. Согласно TrendForce, компания запросила стеки с пропускной способностью 10 Гбит/с на контакт для своей платформы Vera Rubin 2026 года. Этот шаг призван увеличить пропускную способность на один GPU до выхода систем следующего поколения AMD MI450 Helios.

При скорости 8 Гбит/с на контакт — значении, указанном JEDEC для HBM4 — один стек обеспечивает чуть менее 2 ТБ/с через новый 2048-битный интерфейс. Повышение до 10 Гбит/с увеличивает общую пропускную способность до 2,56 ТБ/с на стек. Шесть стеков дают одному GPU сырую пропускную способность в 15 ТБ/с. Rubin CPX, вычислительная конфигурация Nvidia, оптимизированная для самых требовательных задач вывода, рекламируется с пропускной способностью 1,7 петабайта в секунду на полную стойку NVL144. Чем выше скорость на контакт, тем меньше запас нужен Nvidia в других местах для достижения этих цифр.

Однако достижение 10 Гбит/с для HBM4 — не данность. Более быстрый ввод-вывод влечет за собой большее энергопотребление, более жесткие временные допуски и повышенную нагрузку на базовый кристалл. TrendForce отмечает, что Nvidia может сегментировать модели Rubin по уровню HBM, если затраты или тепловыделение окажутся слишком высокими. Это означает чипы с HBM4 на 10 Гбит/с для Rubin CPX и стеки с меньшей скоростью для стандартной конфигурации Rubin. Запасной вариант уже просматривается: поэтапная квалификация поставщиков и расширенные окна валидации для повышения выхода годных изделий.

SK hynix остается доминирующим поставщиком HBM для Nvidia и заявляет, что завершила разработку HBM4 и готова к массовому производству. Компания упоминала о возможности «свыше 10 Гбит/с», но не публиковала спецификации кристаллов, целевые показатели мощности или детали процесса.

Samsung, напротив, более агрессивна в переходе на новые техпроцессы. Её базовый кристалл HBM4 переходит на 4-нм FinFET, логический техпроцесс, призванный поддерживать более высокие тактовые частоты и меньшее энергопотребление при переключении. Это может дать Samsung преимущество в сегменте высокого класса, даже если SK hynix поставит большие объемы. Micron подтвердила тестирование образцов HBM4 с 2048-битным интерфейсом и пропускной способностью свыше 2 ТБ/с, но не уточнила, входят ли в планы 10 Гбит/с.

AMD MI450 все еще находится в разработке, но спецификации памяти уже известны. Ожидается, что стойки Helios будут поддерживать до 432 ГБ HBM4 на GPU, что даст AMD возможность сравняться или превзойти Nvidia по объему памяти. С архитектурой CDNA 4 она также получает upgrades, нацеленные непосредственно на преимущество Rubin в выводе.

Nvidia явно хочет сделать память быстрее. Но чем больше она полагается на HBM4 с 10 Гбит/с, тем более уязвимой становится к вариациям поставщиков, рискам выхода годной продукции и ограничениям энергопотребления на уровне стоек в то время, когда запас на ошибку сокращается.

Источник: Tomshardware.com