NVIDIA планирует начать производство 3-нм HBM Base Die к 2027 году

Согласно рыночным данным, NVIDIA разрабатывает собственный дизайн High Bandwidth Memory (HBM) Base Die с использованием 3-нм технологического процесса. Пробное производство может начаться в конце 2027 года. Аналитики TrendForce, ссылаясь на Commercial Times, считают этот шаг стратегическим — он позволит NVIDIA контролировать базовые логические компоненты модулей HBM независимо от поставщиков памяти.

Эта новость вызвала волнения в индустрии HBM, где сейчас доминирует SK Hynix. Хотя SK Hynix использует собственные решения Base Die, компания полагается на передовые производственные процессы TSMC для достижения скоростей выше 10 Гбит/с. Производители памяти обычно не обладают сложными компетенциями для разработки Base Die и ASIC.

«NVIDIA стремится усилить контроль над своей экосистемой через платформу NVLink Fusion, предлагая клиентам больше возможностей для комбинирования решений», — отмечают аналитики.

Однако облачные провайдеры могут сопротивляться решениям NVIDIA, так как многие уже начали разрабатывать собственные ASIC, чтобы снизить зависимость от компании. В то же время SK Hynix продолжает развивать технологию HBM4 — недавно были отправлены первые образцы 12-слойной памяти с ёмкостью 36 ГБ и скоростью передачи свыше 2 ТБ/с (на 60% быстрее HBM3E). Ожидается, что HBM4 обеспечит ещё более высокие скорости и сложную интеграцию упаковки.

Ранее сообщалось, что NVIDIA и AMD будут использовать кастомизированную память HBM4 в своих будущих AI-ускорителях. В сочетании с планами NVIDIA по собственному производству Base Die и ускоренным графиком выпуска HBM4 от SK Hynix, рынок HBM вступает в новую фазу конкуренции и изменений.

Источник: Commercial Times