Kioxia представит новые технологии памяти на выставке IEDM 2024

21 октября 2024, 14:03 / Технологии → Новости / Технологии

Корпорация Kioxia

, мировой лидер в области решений для памяти, сегодня объявила о том, что исследовательские работы компании были приняты для презентации на IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2024 — престижной международной конференции, которая пройдет в Сан-Франциско, США, с 7 по 11 декабря.

Kioxia занимается исследованиями и разработками полупроводниковой памяти, которая необходима для развития ИИ и цифровой трансформации общества. Помимо своей передовой технологии трехмерной (3D

3D (3-D) (от англ. 3-dimensional) — англицизм. Может означать: Что-либо, имеющее три измерения, см. размерность пространства; Трёхмерное пространство; Трёхмерная графика; Объёмный звук («3D-звук»); 3D-шутер; 3D-сканер; 3D-принтер.Также термин «3D» применяется к технологиям, использующим эффект стереоскопии: Стереокинематограф Стереодисплей Трёхмерное телевидение Стереоскопический фотоаппарат 3D-очкиКомпании: 3D Realms The 3DO CompanyВ компьютерной индустрии: 3DNow! Википедия

) флэш-памяти BiCS FLASH, Kioxia преуспевает в исследованиях новых решений для памяти. Компания постоянно стремится удовлетворять потребности будущих вычислительных систем и систем хранения данных с помощью инновационных продуктов памяти.

Существующие вычислительные системы используют DRAM

DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам. Википедия

, основное запоминающее устройство, позволяющее ЦП быстро обрабатывать данные, наряду с флэш-памятью для хранения обширных данных. Kioxia возглавляет исследования и разработки для Storage Class Memory (SCM), решения памяти, расположенного между DRAM и флэш-памятью в иерархии полупроводниковой памяти, предназначенного для обработки больших объемов данных, чем DRAM, и с более высокой скоростью, чем флэш-память.

На выставке IEDM компания Kioxia представит передовые технологии, адаптированные для каждого из трех слоев полупроводниковой памяти: новый тип DRAM, использующий оксидные полупроводники с упором на снижение энергопотребления, MRAM, подходящий для больших емкостей для приложений SCM, и новую структуру 3D флэш-памяти с превосходной плотностью битов и производительностью.

Новые технологии памяти:

DRAM на оксидно-полупроводниковом канале транзистора (OCTRAM):
- Эта технология была совместно разработана Nanya Technology и Kioxia Corporation. Компании разработали вертикальный транзистор, который улучшает интеграцию схемы за счет улучшения производственного процесса. Компании добились чрезвычайно низкой утечки тока, выявив свойства транзистора с помощью оксида-полупроводника. Это может потенциально снизить энергопотребление в широком спектре приложений, включая системы искусственного интеллекта и связи после 5G, а также продукты IoT.
- Название статьи: OCTRAM на оксидно-полупроводниковом канале DRAM с архитектурой 4F2
Технология Crosspoint MRAM высокой емкости:
- Эта технология была разработана совместно с SK hynix Inc. и Kioxia Corporation. С помощью этой технологии компании добились операции чтения/записи ячеек в наименьшем когда-либо масштабе полушага ячеек 20,5 нанометров для MRAM, объединив технологию ячеек, которая объединяет селекторы, подходящие для больших емкостей, с магнитными туннельными переходами, и применив технологию тонкой обработки для массивов типа crosspoint. Надежность памяти имеет тенденцию к снижению по мере миниатюризации ячеек. Компании разработали потенциальное решение, используя новый метод считывания, который использует переходную реакцию селекторов и уменьшая паразитную емкость схем считывания. Эта технология имеет практическое применение для ИИ и обработки больших данных.
- Название статьи: Надежная работа памяти с низкой частотой помех при чтении в самой маленькой в мире ячейке 1Selector-1MTJ для 64 Гб кросс-точечной MRAM
Технология 3D-памяти следующего поколения с горизонтальной структурой укладки ячеек:
- Kioxia разработала новую 3D-структуру для повышения надежности и предотвращения ухудшения производительности ячеек типа NAND. Ухудшение производительности обычно происходит, когда в обычных структурах увеличивается количество уложенных слоев. Новая структура размещает ячейки типа NAND горизонтально, укладывая их в стопку по сравнению с обычной структурой вертикального расположения ячеек типа NAND. Эта структура позволяет реализовать 3D-флеш-память с высокой плотностью битов и надежностью при низкой стоимости.
- Название статьи: Превосходная масштабируемость усовершенствованной горизонтальной флэш-памяти для будущих поколений 3D флэш-памяти

В рамках своей миссии «повысить уровень жизни мира с помощью «памяти» компания Kioxia стремится стать пионером новой эры в области технологий памяти и продолжит содействовать исследованиям и технологическим разработкам для поддержки будущего цифрового общества.

Источник: Kioxia