SK hynix представляет новые решения в области памяти на HPE Discover 2024
SK hynix вернулась в Лас-Вегас, чтобы продемонстрировать свои ведущие решения в области памяти на базе искусственного интеллекта на HPE Discover 2024, ежегодной технологической конференции Hewlett Packard Enterprise (HPE). Выставка HPE Discover 2024, которая пройдет с 17 по 20 июня, имеет насыщенный график, включающий более 150 живых демонстраций, а также технические сессии, выставки и многое другое. В этом году участники также смогут воспользоваться тремя новыми курируемыми программами по периферийным вычислениям и сетям, гибридным облачным технологиям и искусственному интеллекту. Под лозунгом «Память — сила искусственного интеллекта» компания SK hynix продемонстрирует на мероприятии свои новейшие решения в области памяти, в том числе те, которые были поставлены HPE. Компания также использует многочисленные сетевые возможности для укрепления своих отношений с принимающей компанией и другими партнерами.
Ведущие в мире решения для памяти, способствующие развитию искусственного интеллекта
Стенд SK hynix на выставке HPE Discover 2024 состоит из трех секций продуктов и демонстрационной зоны, которые демонстрируют беспрецедентные возможности ее решений памяти на базе искусственного интеллекта. В первом разделе представлены новаторские решения компании в области памяти для искусственного интеллекта, включая решения HBM. В частности, ведущий в отрасли процессор HBM3E стал основным продуктом для удовлетворения растущих потребностей систем искусственного интеллекта благодаря своей исключительной скорости обработки, мощности и рассеиванию тепла. В этом разделе также представлено ключевое решение линейки CXL компании — модуль памяти CXL-DDR5 (CMM-DDR5). В эпоху искусственного интеллекта, когда высокая производительность и емкость имеют жизненно важное значение, CMM-DDR5 привлекла внимание благодаря своей способности расширять пропускную способность системы до 50 % и емкость до 100 % по сравнению с системами, оснащенными только DDR5 DRAM.
DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам. Википедия
Читайте также:Профсоюз Samsung объявил забастовкуПланы Micron по созданию дополнительного завода DRAM в Хиросиме отложены до 2027 годаПланы Samsung: 16-слойная 3D DRAM с использованием VCT DRAMОжидается рост цен на оперативную память DDR5 и DDR4 из-за высокого спроса на HBMНовый глава полупроводникового бизнеса Samsung Electronics
Посетители также могли увидеть некоторые из новейших корпоративных твердотельных накопителей (eSSD) SK hynix в третьем разделе стенда. К ним относятся PS1010 и PS1030 на базе PCle Gen5, которые признаны идеальными для приложений искусственного интеллекта, больших данных и машинного обучения благодаря высокой скорости последовательного чтения. В этом же разделе американская дочерняя компания SK hynix Solidigm представляет свои eSSD на базе QLC, такие как D5-P5430, D5-P5316 и D5-P5336. Предлагая лучшую в отрасли производительность и огромную емкость, эти продукты станут оптимальным решением для различных клиентов, которым требуется огромное пространство для хранения.
Делимся последними инновациями и тенденциями в области искусственной памяти
Во время презентаций на конференции SK hynix провела переговоры, посвященные тому, как продукты памяти компании способствуют инновациям в области искусственного интеллекта. 18 июня технический руководитель Брайан Юн из отдела планирования технологий DRAM в SK hynix America представил обзор CXL и обсудил возможности расширения памяти с помощью CMM-DDR5. Юн также коснулся особенностей HMSDK, программного обеспечения, поддерживающего CMM-DDR5. Несколько часов спустя директор Сантош Кумар из отдела планирования технологий NAND в SK hynix America и технический руководитель Сонджэ Ким из SSD Enablement в SK hynix рассказали о тенденциях в технологии твердотельных накопителей и о том, как SK hynix и Solidigm могут удовлетворить будущие потребности в твердотельных накопителях. В ходе беседы пара рассказала, как SSD-продукты компаний оптимизированы для хранения данных с использованием искусственного интеллекта и рабочих нагрузок современных центров обработки данных.
Использование сообщества памяти для обеспечения будущего искусственного интеллекта
На выставке HPE Discover 2024 компания SK hynix подчеркнула, что она возглавляет инновации в секторе памяти для искусственного интеллекта. Это мероприятие — это не только шанс для компании продемонстрировать свои ведущие в отрасли решения, но и время укрепить партнерство с HPE и другими игроками отрасли.
SK hynix Inc. (кор. 하이닉스, рус. Хайникс) — южнокорейская компания, специализирующаяся на производстве полупроводниковой памяти типа DRAM и NAND. SK hynix является третьим в мире производителем микросхем (после Intel и Samsung Electronics) и входит в пятёрку ведущих производителей оперативной памяти. Википедия
Читайте также:Компания-партнер SK Hynix Mimir IP подала в суд на MicronПамять GDDR7 с поддержкой GPU от SK Hynix выйдет в четвертом кварталеSK Hynix планирует начать массовое производство памяти GDDR7 в первом квартале 2025 годаSK hynix и HLDS возрождают бренд Super MultiБывшему сотруднику SK Hynix предъявлено обвинение в краже технологий для Huawei
Источник: Techpowerup.com
0 комментариев