TSMC отказывается от инструментов High-NA EUV, но Intel их поддерживает

По сообщению Reuters, Чжан сообщил участникам мероприятия, что для технологии процесса A16 не потребуются инструменты EUV-литографии следующего поколения. Это означает, что TSMC нашла способы экономичного использования двойного рисунка EUV и формирования рисунка, чтобы увеличить достижимый критический размер современной литографической системы с низким содержанием апертуры за пределы 13 нм. Напротив, Intel планирует внедрить инструменты High-NA EUV со своей производственной технологией 14A после того, как научится эффективно использовать их со своим производственным узлом 18A.

Однако TSMC не стоит на месте. Компания изучает возможность литографии EUV High-NA для своих будущих технологических процессов. Узел A14 будет следовать за A16, и, как отметила TSMC в своем годовом отчете за 2023 год, разработка A14 идет полным ходом.

«TSMC начала разработку и добилась хороших успехов в разработке технологии 14 Ангстрем (A14), которая направлена на дальнейшее повышение скорости, мощности, плотности и стоимости», — говорится в годовом отчете компании. «Глядя на A14 и далее, отдел исследований и разработок TSMC продолжит изучать литографические сканеры EUV (экстремального ультрафиолета) следующего поколения, проводить исследования маскирующих пленок и заготовок для поддержки передовых технологий и расширения закона Мура».

Использование систем литографии EUV с высокой числовой апертурой значительно увеличивает производственные затраты, поскольку каждый инструмент стоит 385 миллионов долларов или больше в зависимости от конфигурации. Производители микросхем склонны повторно использовать как можно больше инструментов, поэтому TSMC, возможно, не захочет использовать EUV с высокой NA, пока у нее не закончатся способы улучшить свои производственные возможности с помощью инструментов EUV с низкой NA. Например, в прошлом году компания улучшила критические размеры и точность рисунка, а также снизила плотность дефектов за счет модификации фоторезиста и материалов заготовок, а также оптимизации рецептов изготовления масок. Он также использует глубокое обучение для проверки и обнаружения дефектов.

«В 2023 году, чтобы добиться выхода пластин и производительности для требований литографии на узле 2 нм, группа исследований и разработок улучшила критические размеры, точность рисунка, стабильность наложения, стойкость к воздействию и устранение дефектов криволинейных узоров с помощью фоторезиста EUV и модификации заготовок, мультитехнологий. Улучшение разрешения записи лучей, оптимизация рецептов процесса маски и расширенная проверка глубокого обучения», — говорится в отчете TSMC. «Будущие улучшения будут сосредоточены на разработке новых заготовок и новой технологии изготовления масок на узле А14 и за его пределами».

Объявление TSMC о своей технологии A16 (класс 1,6 нм) с обратной подачей питания Super Power Rail стало неожиданностью на Североамериканском технологическом симпозиуме компании 2024. Кевин Чжан, вице-президент по развитию бизнеса TSMC, сказал, что это крупнейший в мире контракт Производителю чипов пришлось ускорить развитие производственного узла из-за растущего спроса со стороны сектора искусственного интеллекта, сообщает Reuters.