Технология DNP обеспечивает высокое разрешение рисунка на EUV-литографических фотошаблонах с разрешением более 2 нм

Dai Nippon Printing Co., Ltd. Компания (DNP) успешно достигла высокого разрешения рисунка, необходимого для создания фотошаблонов для логических полупроводников поколения более 2 нм (нм: 10-9 метров), которые поддерживают экстремальную ультрафиолетовую (EUV) литографию - передовой процесс в производстве полупроводников.

Компания DNP также завершила оценку критериев для фотошаблонов, совместимых с высокой числовой апертурой, поскольку рассматривается возможность их применения для полупроводников следующего поколения, не ограничивающегося 2 нм, и приступила к поставке оценочных фотошаблонов. EUV-литография с высоким содержанием NA позволяет формировать тонкие узоры на кремниевых пластинах с более высоким разрешением, чем это было возможно ранее, и, как ожидается, приведет к созданию высокопроизводительных полупроводников с низким энергопотреблением.

Development

• Для создания фотошаблонов для EUV-литографии более чем 2-нм поколения требуются узоры на 20% меньшего размера, чем для 3-нм поколения. Это относится не только к размеру и форме узоров, но и к технологии, необходимой для получения тонких узоров всех типов на лицевой стороне одной и той же маски. Это включает в себя не только стандартные прямые и прямоугольные узоры, но и все более сложные криволинейные узоры. Компания DNP добилась разрешения узора, необходимого для поколения, превышающего 2 нм, путем неоднократных улучшений, основанных на установившемся производственном процессе поколения 3 нм.
• Фотошаблоны для литографии с высоким разрешением NA-EUV требуют более высокой точности и более тонкой обработки, чем для стандартной EUV-литографии. Компания DNP разработала и оптимизировала технологический процесс производства, который отличается от процесса изготовления фотошаблонов для обычной EUV-литографии.

В дальнейшем
DNP продолжит разработку производственных технологий с целью начала массового производства фотошаблонов для логических полупроводников поколения 2 нм в 2027 финансовом году.

Мы также продолжим сотрудничество с imec в целях содействия развитию технологий изготовления фотошаблонов, ориентируясь на производство фотошаблонов длиной волны 1 нм.

1: Соответствует стандартам IRDS
2: Числовая апертура (NA) - это число, которое указывает на яркость и разрешающую способность оптической системы. Высокая NA означает увеличение NA объектива оборудования для экспонирования EUV с обычных 0,33 до 0,55.

Источник: Dai Nippon Printing Co., Ltd.