Исследователи из Китая разработали полупроводниковую систему, устойчивую к радиации и тонкую, как один атомный слой. Этот прорыв может решить одну из самых сложных проблем в освоении космоса — уязвимость электроники к космическим лучам.Команда из Шанхайского университета Фудань опубликовала свои
Читать дальше →
Учёные выяснили, что простое скручивание и наложение двух слоёв оксидных кристаллов позволяет самому атомному расположению управлять поведением электронов. Подобно новым узорам, возникающим при наложении и повороте двух сеток, скрученная оксидная граница раздела формирует специфические атомные
Читать дальше →
Исследователи из Центра науки о возникающей материи RIKEN и их коллеги разработали метод создания трёхмерных наноустройств непосредственно из монокристаллических материалов. Технология использует сфокусированный ионный пучок для прецизионного удаления материала. С её помощью команда вырезала
Читать дальше →
Исследователи из Университета Кюсю продемонстрировали, что тщательное проектирование границ раздела в материалах может открыть новые возможности для наноразмерных магнитных структур, известных как скирмионы, и преодолеть ограничения традиционной электроники. Их работа, опубликованная в APL
Читать дальше →
Цены на чипы памяти на мировом рынке продолжают стремительно расти, создавая беспрецедентные проблемы для производителей потребительской электроники, включая смартфоны, ПК и игровые консоли.Основной причиной роста является активное расширение инфраструктуры для искусственного интеллекта такими
Читать дальше →
Учёные из Центра науки о возникающих явлениях RIKEN и их коллеги разработали новый способ изготовления трёхмерных наноразмерных устройств из монокристаллических материалов с использованием инструмента сфокусированного ионного пучка (FIB). С помощью этого метода команда вырезала спиралевидные
Читать дальше →
По сообщениям, волна дефицита и роста цен на рынке чипов памяти распространилась с производства кремниевых пластин на сектор упаковки и тестирования (OSAT).Поскольку крупные производители чипов DRAM и NAND Flash стремятся увеличить отгрузки, такие компании, как Powertech Technology (力成), Huatian
Читать дальше →
Физики из Цюрихской высшей технической школы и Института структуры и динамики вещества Макса Планка обнаружили, что в некоторых двумерных материалах электроны с заметной задержкой реагируют на движение атомных ядер, что нарушает классическое приближение Борна — Оппенгеймера.Исследователи
Читать дальше →
В настоящее время по всему миру наблюдается стремительный рост цен на чипы памяти, что затрагивает практически все сегменты потребительской электроники.Как один из крупнейших поставщиков памяти, компания Samsung уже ощущает давление на собственном бизнесе по производству смартфонов. Совместный
Читать дальше →
Исследователи из Северо-Восточного университета (США) обнаружили, что некоторые материалы, используемые в так называемой биоразлагаемой электронике, при разложении могут превращаться в микропластик. Это ставит под сомнение их экологическую безопасность.Согласно исследованию, опубликованному в
Читать дальше →
Партнёр и президент Xiaomi Group Лу Вэйбин в ходе прямого эфира заявил, что цена на предстоящий флагманский смартфон Xiaomi 17 Ultra значительно вырастет. Основной причиной он назвал стремительный рост стоимости памяти, вызванный бумом в индустрии искусственного интеллекта.По данным компании, цены
Читать дальше →
Учёные из японского института RIKEN впервые экспериментально и теоретически объяснили, почему поток электронов в особом классе магнетиков зависит от направления. Это открытие может помочь в создании будущих устройств с низким энергопотреблением.Работа опубликована в журнале Science Advances.В
Читать дальше →
Исследователи из Университета Глазго разработали новый метод нанопроизводства, который может привести к созданию гибких и прозрачных электронных устройств нового поколения, устойчивых к электромагнитным помехам.Технология, описанная в журнале ACS Nano, сочетает лазерную обработку с методом
Читать дальше →
Международная группа учёных обнаружила, что в определённых материалах под высоким давлением коллективное поведение электронов, известное как волны зарядовой плотности (ВЗП), не только сохраняется, но и усиливается при комнатной температуре. Это открытие, опубликованное в журнале Physical Review
Читать дальше →
В Китае утвердили обязательный национальный стандарт, который устанавливает требования к безопасному удалению пользовательских данных с электронных устройств перед их утилизацией или перепродажей. Новые правила вступят в силу с 1 января 2027 года.Стандарт «Технические требования к безопасности
Читать дальше →
Представьте носимые медицинские датчики, умную упаковку, гибкие дисплеи или одноразовые контроллеры для интернета вещей, которые производятся так же, как печатаются газеты. Именно это будущее обещают технологии на основе двумерных материалов, обрабатываемых в виде чернил. Однако до сих пор поиск
Читать дальше →
В Китае утвердили обязательный национальный стандарт «Технические требования к безопасности данных — Технические требования к удалению информации в электронных продуктах». Как сообщает CCTV, документ, разработанный под руководством Центрального комитета по вопросам киберпространства, был официально
Читать дальше →
Модули оперативной памяти превратились в «электронные монеты», стоимость которых за год выросла более чем на 100%, обогнав по темпам роста даже золото. Это делает их одним из самых «горячих» активов на рынке.Председатель совета директоров компании ADATA публично признал беспрецедентный дефицит
Читать дальше →
Исследователи из Федеральной политехнической школы Лозанны (EPFL) совместно с немецкими коллегами продемонстрировали, как можно передавать данные с помощью квазичастиц магнонов, используя спиральную геометрию крошечных магнитных трубок, а не поток электронов.Магноника — это перспективное
Читать дальше →
Учёные из Уорикского университета (Великобритания) и Национального исследовательского совета Канады сообщили о рекордной «подвижности дырок», когда-либо измеренной в материале, совместимом с современным кремниевым производством.Кремний (Si) лежит в основе большинства современных полупроводниковых
Читать дальше →
