На этой неделе Intel и SK hynix завершили сделку на сумму около 8,85 млрд долларов США по операциям Intel по производству флэш-памяти NAND, завершив двухэтапный процесс, начатый в 2020 году.В четверг Intel получила окончательный платеж в размере 1,9 млрд долларов от SK hynix, при этом последняя
Читать дальше →
Micron, Samsung и SK hynix представили свои модули памяти с малым контурным сжатием (SOCAMM), которые используют память LPDDR5X и предназначены для ИИ и маломощных серверов. SOCAMM — которые сначала будут использоваться с серверами на базе систем GB300 Grace Blackwell Ultra Superchip от Nvidia —
Читать дальше →
Компания SK hynix Inc. сегодня объявила, что впервые в мире отправила крупным клиентам образцы 12-слойной памяти HBM4, новой сверхвысокой производительности DRAM для ИИ. Образцы были доставлены с опережением графика на основе технологического превосходства и производственного опыта SK hynix, которые
Читать дальше →
Компания SK hynix Inc. сегодня объявила, что примет участие в GTC 2025, всемирной конференции по ИИ, которая пройдет с 17 по 21 марта в Сан-Хосе, Калифорния, со стендом под названием «Память, питание ИИ и будущее». Компания представит HBM и другие продукты памяти для центров обработки данных ИИ, а
Читать дальше →
По данным южнокорейского издания Money Today, SK hynix в настоящее время занимается разработкой еще одной вариации LPDDR5. Крупнейший поставщик микросхем DRAM и флэш-памяти публично раскрыл свой дизайн LPDDR5 Turbo (T) — еще в конце 2023 года; эта итерация была объявлена как «самый быстрый в мире
Читать дальше →
Почти пять лет назад SK hynix объявила о планируемом приобретении за 9 миллиардов долларов бизнеса Intel по производству флэш-памяти и хранилищ NAND. Процесс поглощения полупроводникового гиганта был постепенным; первая фаза была завершена к концу 2021 года, когда азиатские руководящие органы — как
Читать дальше →
По данным SEDaily, компания Nvidia объединяется с производителями памяти SK hynix, Micron и Samsung для создания нового стандарта памяти, который будет небольшим по размеру, но высокой производительности.Новый стандарт, названный System On Chip Advanced Memory Module (SOCAMM), находится в
Читать дальше →
Сегодня компания SK hynix Inc. объявила о получении TISAX, всемирной сертификации по информационной безопасности автомобильной промышленности, впервые в отрасли памяти. SK hynix получила TISAX для всех внутренних объектов, расположенных в Ичхоне, Бундане и Чхонджу, и была признана на международном
Читать дальше →
На этой неделе SK hynix опубликовала рекордные показатели выручки, операционной прибыли и чистой прибыли за 2024 год. Компании удалось более чем удвоить выручку и вернуться к прибыльности в основном за счет возросшего спроса на премиальные типы динамической оперативной памяти (DRAM), такие как
Читать дальше →
Компания SK hynix Inc. сегодня объявила о рекордных годовых показателях: выручка составила 66,1930 трлн вон, операционная прибыль — 23,4673 трлн вон (при операционной марже 35%), а чистая прибыль — 19,7969 трлн вон (при чистой марже 30%). Годовая выручка достигла исторического максимума, превысив
Читать дальше →
Ведущий южнокорейский производитель памяти SK hynix объявил, что на выставке потребительской электроники (CES) в Лас-Вегасе в этом году он представит ряд передовых решений в области памяти, разработанных специально для приложений искусственного интеллекта (ИИ).Используя свою технологию 12-слойной
Читать дальше →
Компания SK hynix Inc. сегодня объявила, что представит свои инновационные технологии памяти ИИ на выставке CES 2025, которая пройдет в Лас-Вегасе с 7 по 10 января (по местному времени). В мероприятии примут участие большое количество руководителей высшего звена, включая генерального директора Квака
Читать дальше →
Министерство торговли США сообщило, что выделило SK Hynix 458 миллионов долларов в качестве прямого финансирования для ее проекта в Уэст-Лафайетте, штат Индиана, по строительству завода по производству упаковки стоимостью 3,87 миллиарда долларов и научно-исследовательского центра. Агентство
Читать дальше →
Компания SK hynix Inc. сегодня объявила о завершении разработки своего продукта SSD высокой емкости PS1012 U.2, предназначенного для центров обработки данных ИИ. По мере ускорения эры ИИ спрос на высокопроизводительные корпоративные SSD (eSSD) стремительно растет, а технология QLC, обеспечивающая
Читать дальше →
Хотя он был представлен еще в марте этого года, SK hynix new Platinum P51 PCIe 5.0 только сейчас был запущен в Южной Корее, и характеристики были улучшены с марта. Официальная скорость последовательного чтения теперь оценивается в 14,7 ГБ/с против 13,5 ГБ/с в марте, и, аналогично, скорость
Читать дальше →
Спецификация GDDR7 SGRAM поддерживает максимальную скорость передачи данных 48 ГТ/с, но первое поколение устройств памяти GDDR7 может работать со скоростью передачи данных до 32 ГТ/с. Но похоже, что GDDR7 будет развиваться довольно быстро, поскольку на предстоящей Международной конференции по
Читать дальше →
Компания SK hynix объявила о массовом производстве первой в мире 321-слойной флэш-памяти NAND. Согласно пресс-релизу, компания начнет поставлять клиентам 321-слойную флэш-память NAND емкостью 1 ТБ, начиная с первой половины 2025 года. 321-слойная флэш-память High NAND от SK hynix создана на
Читать дальше →
Бывшая сотрудница SK hynix была приговорена к 18 месяцам тюрьмы и штрафу в размере 20 миллионов вон (14 300 долларов США) за кражу критически важной полупроводниковой технологии перед переходом в Huawei, сообщает Korea Biz Wire. Суд признал ее виновной в нарушении законов Южной Кореи о защите
Читать дальше →
SK hynix анонсировала первый в отрасли 48 ГБ 16-высотный HBM3E на саммите SK AI в Сеуле сегодня. Во время мероприятия появились новости о новых планах по разработке технологии памяти следующего поколения. Reuters и ZDNet Korea сообщили, что генеральный директор NVIDIA Дженсен Хуанг попросил SK hynix
Читать дальше →
Генеральный директор SK hynix Квак Но-Джунг в своей программной речи под названием «Новое путешествие в память ИИ следующего поколения: за пределами оборудования в повседневную жизнь» на саммите SK AI в Сеуле публично рассказал о разработке первой в отрасли 48 ГБ 16-слойной памяти — самого большого
Читать дальше →