На мероприятии «Advancing AI 2025» компания AMD представила новую линейку ускорителей Instinct MI350 на архитектуре CDNA 4, а также анонсировала грядущие модели MI400 на базе UDNA. Выход серии Instinct MI400 запланирован на начало 2026 года. Новинки обещают значительный скачок в производительности,
Читать дальше →
Компания Micron объявила о значительном прогрессе в разработке архитектуры HBM4. Новые модули памяти будут использовать 12-слойную (12-Hi) компоновку DRAM-чипов, что обеспечит емкость 36 ГБ на один пакет. Первые инженерные образцы уже в ближайшие недели начнут поставляться ключевым партнерам, а
Читать дальше →
Samsung планирует использовать технологию гибридного соединения (hybrid bonding) для своей памяти HBM4, чтобы снизить тепловыделение и обеспечить сверхширокий интерфейс памяти. Об этом компания сообщила на форуме AI Semiconductor Forum в Сеуле. В то же время конкурент Samsung, SK hynix, может
Читать дальше →
В 2025 году большинство новостей о высокоскоростной памяти (HBM) касались продуктов SK hynix и Micron. Однако Samsung Electronics в своих финансовых отчетах за первый квартал упомянула о работе над «улучшенными продуктами HBM3E». В конце апреля конкурент Samsung представил революционное решение
Читать дальше →