Исследователи из Университета Фудань (Китай) совершили прорыв в области технологий памяти, разработав флеш-устройство «PoX» с рекордной скоростью работы. Устройство демонстрирует время чтения/записи всего 400 пикосекунд (менее 1 наносекунды), что эквивалентно примерно 2,5 млрд операций в секунду.
Читать дальше →
Китай продолжает развивать собственные технологии в области полупроводников, стремясь к самообеспечению. Как сообщает Money Today Korea, китайская компания JCET Group, специализирующаяся на упаковке полупроводников, приобрела передовые термокомпрессионные бондеры, предназначенные для работы с
Читать дальше →
В 2025 году большинство новостей о высокоскоростной памяти (HBM) касались продуктов SK hynix и Micron. Однако Samsung Electronics в своих финансовых отчетах за первый квартал упомянула о работе над «улучшенными продуктами HBM3E». В конце апреля конкурент Samsung представил революционное решение
Читать дальше →
