Новый тип флэш-памяти NAND выдерживает радиацию в 30 раз лучше традиционной

Исследовательская группа из Технологического института Джорджии (США) успешно разработала новый тип флэш-памяти NAND. Как сообщается 22 мая, эта память не только эффективно обрабатывает задачи искусственного интеллекта (ИИ), но и демонстрирует исключительную устойчивость к экстремальному излучению в космической среде.

Её радиационная стойкость в 30 раз выше, чем у традиционной флэш-памяти NAND.

В основе новой флэш-памяти лежат сегнетоэлектрические свойства оксида гафния — материала, совместимого с кремниевыми технологическими процессами. Этот материал способен спонтанно поляризоваться в определенном температурном диапазоне, а направление поляризации может изменяться под воздействием внешнего электрического поля.

Данная особенность делает сегнетоэлектрические материалы перспективными кандидатами для применения в таких областях, как хранение информации, сенсорика, искусственный интеллект и создание микросхем следующего поколения с низким энергопотреблением.

Результаты испытаний показали, что сегнетоэлектрическая флэш-память способна выдерживать радиацию до 1 миллиона рад (поглощенная доза излучения), что эквивалентно 100 миллионам рентгеновских облучений.