Исследовательская группа из Технологического института Джорджии (США) успешно разработала новый тип флэш-памяти NAND. Как сообщается 22 мая, эта память не только эффективно обрабатывает задачи искусственного интеллекта (ИИ), но и демонстрирует исключительную устойчивость к экстремальному излучению в
Читать дальше →
Команда исследователей из Токийского научного института представила защищённый беспроводной приёмник, способный выдерживать длительное воздействие радиации. Чип был представлен на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC) в Сан-Франциско в феврале. Как сообщает IEEE Spectrum,
Читать дальше →
