Дефицит памяти нарастает: к 2027 году производители смогут удовлетворить лишь 60% спроса

Взрывной рост так называемого Agentic AI привёл к тому, что центры обработки данных поглощают память гораздо быстрее, чем расширяются производственные мощности. По данным аналитиков, мировые производители DRAM-памяти к концу 2027 года смогут удовлетворить лишь около 60% рыночного спроса. Ситуация с дефицитом и ростом цен, вероятно, продлится несколько лет.

Крупнейшие компании, включая Samsung, SK Hynix, Micron и китайскую Yangtze Memory (YMTC), активно строят новые производственные линии. Однако процесс от строительства до выхода на полную мощность занимает время, и эти меры не смогут быстро решить текущую проблему.

Более серьёзной проблемой является перераспределение мощностей. «AI-фабрики» уже сейчас бронируют поставки DRAM на весь год вперёд, в то время как производство традиционной памяти для потребительского рынка систематически сокращается. Это приводит к острой нехватке чипов для смартфонов и персональных компьютеров.

Аналитики Counterpoint Research отмечают, что в период с 2026 по 2027 год годовые мощности по производству DRAM должны расти на 12%, чтобы хотя бы частично угнаться за спросом. Фактический же рост составляет лишь около 7.5%, и разрыв продолжает увеличиваться.

В подтверждение тренда, Samsung уже прекратила производство устаревающих типов памяти, таких как DDR3, DDR4 и LPDDR4. Компания Micron закрыла потребительский бренд Crucial, чтобы перераспределить ресурсы в пользу более прибыльных продуктов, таких как память HBM и модули SOCAMM2.

Ранее эксперты прогнозировали, что цены на память могут стабилизироваться не раньше конца 2028 года. Судя по текущим планам производителей по наращиванию мощностей, этот прогноз, похоже, начинает сбываться. Интересный факт: память HBM (High Bandwidth Memory), критически важная для современных систем искусственного интеллекта, представляет собой сложные многослойные конструкции, где несколько кристаллов памяти и логический чип соединяются с помощью технологии TSV (сквозных кремниевых отверстий), что обеспечивает беспрецедентную пропускную способность.