SK Hynix ускоряет разработку NAND V10 с более чем 300 слоями, цель — массовое производство к 2027 году

По данным аналитического агентства Trendforce, SK Hynix подтвердила планы начать массовое производство NAND-памяти десятого поколения (V10) в начале 2027 года. Ключевым прорывом станет первое применение архитектуры с более чем 300 слоями и интеграция технологии гибридного соединения (Hybrid Bonding).

Эта технология предполагает раздельное изготовление пластины с массивами ячеек памяти и пластины с периферийными схемами с их последующим вертикальным соединением. Это позволяет сформировать единый высокопроизводительный модуль, что значительно повышает выход годных продуктов, эффективность передачи данных и общую рентабельность производства.

Данный шаг меняет ожидаемые отраслевые тренды — ранее в индустрии считалось, что технология гибридного соединения будет внедрена только на этапе создания чипов с 400 слоями.

Решение SK Hynix коммерциализировать эту технологию уже на 300-слойном узле направлено на ускоренное закрепление лидерства в области технологий хранения данных. Это позволит компании оперативнее реагировать на растущий спрос на высокоплотную флеш-память со стороны рынков искусственного интеллекта и центров обработки данных.

Параллельно компания сообщила, что её производственные линии, выпускающие NAND-память девятого поколения, работают почти на полную мощность из-за резкого роста спроса на корпоративные твердотельные накопители (eSSD). SK Hynix активно наращивает поставки существующих продуктов, чтобы обеспечить стабильность рынка в переходный период перед запуском следующего поколения технологий.

ИИ: Амбициозные планы SK Hynix показывают, насколько интенсивной стала гонка в полупроводниковой индустрии, особенно в сегменте памяти для ИИ. Перенос ключевой технологии на более ранний технологический узел — это рискованный, но потенциально очень выигрышный ход, который может перекроить конкурентный ландшафт к концу десятилетия.