Японская Rapidus привлекла 1,7 млрд долларов на запуск производства 2-нм чипов

Японская полупроводниковая компания Rapidus, поддерживаемая государством, объявила о закрытии раунда финансирования на сумму 250 млрд иен (около 1,6 млрд долларов США или ~128 млрд рублей). Средства поступили от правительства Японии и 30 частных компаний, включая Sony, Toyota, SoftBank, Canon, Fujitsu, Denso, Kioxia и Seiko Epson. Цель инвестиций — запуск массового производства 2-нм чипов на фабрике IIM-1 в Титосе (Хоккайдо) к 2027 финансовому году.

Согласно Bloomberg, правительство изначально будет владеть примерно 10% голосующих акций Rapidus и большинством неголосующих акций. При этом у государства есть право конвертировать эти акции, чтобы получить контрольный пакет в случае финансовых трудностей компании. Кроме того, правительство приобрело «золотые акции», дающие ему право вето на ключевые корпоративные решения, как заявил официальный представитель Министерства экономики, торговли и промышленности Японии Томосигэ Намбу.

Министерство экономики Японии также планирует почти в четыре раза увеличить бюджетную поддержку разработки передовых полупроводников и искусственного интеллекта — примерно до 1,23 трлн иен в финансовом году, начинающемся в апреле. Правительство Таити не полагается только на Rapidus: недавно также была получена гарантия от TSMC о модернизации её технологий и заводов в Японии.

Генеральный директор Rapidus Ацуюси Коике на пресс-конференции в четверг, 26 февраля, заявил, что компания ведёт активные переговоры с более чем 60 компаниями, желающими разрабатывать чипы для ИИ, робототехники и периферийных вычислений.

«С начала года спрос клиентов на передовые чипы резко вырос», — отметил Коике, добавив, что интерес именно к 2-нм технологиям усилился, и компания намерена в дальнейшем перейти к техпроцессам 1,4 нм и 1 нм.

Новый раунд государственного финансирования последовал за реальным техническим прогрессом. Rapidus открыла пилотную линию в апреле 2025 года и уже в июле продемонстрировала рабочие 2-нм транзисторы со структурой Gate-All-Around (GAA), которая окружает канал транзистора со всех четырёх сторон, что улучшает управление током и снижает утечки по сравнению с конструкцией FinFET. На предприятии на Хоккайдо используется оборудование для литографии High-NA EUV от ASML, а в рамках партнёрства по передаче технологий на площадке постоянно работают около 10 инженеров IBM.

Как сообщалось ранее, Rapidus планирует начать массовое производство с первоначальной мощностью 6 000 300-мм пластин в месяц, увеличив этот показатель примерно до 25 000 в течение первого года. Общий объём инвестиций, необходимых для достижения этой цели, оценивается примерно в 4 трлн иен; на сегодняшний день из всех источников уже выделено около 1,7 трлн иен.

Источник: Tomshardware.com