Цены на память для смартфонов и компьютеров продолжат расти в 2026 году
Мировой рынок микросхем памяти в 2025 году пережил значительный скачок цен, который эксперты связывают с бумом искусственного интеллекта. Согласно данным независимой исследовательской организации, спотовые цены на DRAM и NAND Flash выросли более чем на 300% с сентября.
Отраслевые аналитики подчёркивают, что текущий рост цен отличается от предыдущих циклов. Он вызван развитием ИИ и распространением технологий, требующих интенсивных вычислений с данными. Рыночный дефицит, вероятно, сохранится в ближайшие год-два.
Крупные производители, такие как Samsung и SK Hynix, переориентируют мощности на выпуск памяти HBM и DDR5 для серверов ИИ. Производственные мощности SK Hynix по HBM на 2026 год уже зарезервированы крупным клиентом, что приведёт к резкому сокращению поставок потребительской памяти DRAM и NAND.
Руководители компаний-производителей бытовой электроники и эксперты в области хранения данных заявили, что повышение цен на ключевые товары, такие как смартфоны и компьютеры, уже запланировано на 2026 год. Производители могут прибегнуть к структурному повышению цен, сокращению функционала устройств или перераспределению затрат с поставщиками. Наиболее вероятно, что эти меры будут реализованы в предстоящий праздничный сезон.
Некоторые бренды уже начали действовать. Например, Xiaomi неожиданно подняла цены на ряд планшетов на 100-200 юаней (~1200-2400 рублей).
Президент Xiaomi Group Лу Вэйбин ранее заявил во время телефонной конференции, что стремительный рост стоимости памяти достиг точки, когда «повышение цен на мобильные телефоны не может полностью его компенсировать». Он ожидает, что розничная цена продукции может значительно вырасти в следующем году.
Интересный факт: Память HBM (High Bandwidth Memory), спрос на которую сейчас резко вырос, представляет собой стек из нескольких чипов DRAM, расположенных вертикально. Это позволяет достичь чрезвычайно высокой пропускной способности, что критически важно для ускорителей искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений.








0 комментариев