Samsung начала поставки образцов памяти HBM4, массовое производство в 2026 году

Samsung отчиталась о результатах третьего квартала 2025 года и подтвердила, что образцы памяти следующего поколения HBM4 уже отправлены клиентам по всему миру, а массовое производство ожидается в 2026 году.

«HBM3E в настоящее время находится в массовом производстве и поставляется всем связанным клиентам, в то время как образцы HBM4 одновременно отправляются ключевым заказчикам»,

«В 2026 году Foundry Business сосредоточится на обеспечении стабильных поставок новых продуктов с 2 нм архитектурой GAA и базовых кристаллов HBM4, а также на своевременном запуске завода компании в Тейлоре, Техас».

В стеке HBM, состоящем из наслоённых кристаллов DRAM высотой до 12 слоёв, соединённых сквозными кремниевыми отверстиями (TSV), существует возможность встраивания опционального базового кристалла с пользовательской логикой/схемами ускорения, адаптированными под конкретные нужды. Компании обычно выбирают стандартную память HBM из-за унифицированной ценовой политики, реализованной у поставщиков вроде Samsung, Micron и SK Hynix. Однако при заказах очень крупных партий, как это делают NVIDIA и AMD, они могут запрашивать специальные дополнительные функции. Хотя это не обязательно будет вычислительный кристалл, обеспечивающий терафлопсы мощности, скорее всего, это будет кристалл обработки данных/логики, который помогает более эффективно маршрутизировать пакеты данных, снижая задержки и повышая производительность. Особенно при выводе (inference), где задержка является наиболее важным фактором, наличие «более умной» памяти HBM может обеспечить существенный, двузначный прирост в пропускной способности токенов.

Хотя неизвестно, насколько далеко Samsung готова продвинуть свою память HBM4, базовые спецификации JEDEC, похоже, не удовлетворяют потребностям NVIDIA. Например, Micron обходит спецификацию JEDEC для HBM4, которая составляет 2 ТБ/с пропускной способности и 8 Гбит/с скорость передачи на контакт при 2048-битном интерфейсе. Micron увеличивает этот показатель до 11 Гбит/с, что даёт на 40% более высокую пропускную способность — 2,8 ТБ/с. Поэтому можно ожидать, что Samsung останется конкурентоспособной и выведет свою память далеко за пределы спецификации JEDEC, чтобы удовлетворить спрос со стороны NVIDIA и AMD на более высокую пропускную способность.

Источник: Techpowerup.com