Китайские ученые совершили прорыв в технологии производства чипов

Исследователи из Китая совершили значительный прорыв в области производства полупроводников, который может ускорить развитие передовых технологических процессов 7 нм и ниже.

Команда профессора Пэн Хайлиня из Пекинского университета в сотрудничестве с другими исследователями впервые использовала технику криоэлектронной томографии для анализа трехмерной микроструктуры фоторезиста в жидкой среде.

«Фоторезист подобен краске для рисования схем. Его движение в проявителе напрямую определяет, насколько точно и хорошо будет нарисована схема, что в конечном итоге влияет на выход годных чипов»

Долгое время микроскопическое поведение фоторезиста в проявителе оставалось «черным ящиком», и оптимизация промышленных процессов осуществлялась методом проб и ошибок. Это стало одним из ключевых препятствий для повышения выхода годных чипов по технологическим процессам 7 нм и тоньше.

Исследователям удалось синтезировать микроскопическое трехмерное «панорамное изображение» с разрешением лучше 5 нм, преодолев три основные проблемы традиционных технологий: невозможность прижизненного / in situ / наблюдения в естественном положении, трехмерного и высокоразрешающего наблюдения.

Профессор Пэн Хайлинь отметил, что криоэлектронная томография предоставляет мощный инструмент для анализа различных жидкофазных поверхностных реакций на атомном/молекулярном уровне. Глубокое понимание структуры и микроскопического поведения полимеров в жидкостях может способствовать контролю дефектов и повышению выхода годной продукции в ключевых процессах, таких как фотолитография, травление и мокрая очистка.