В Китае запустили первую в стране платформу для разработки EUV-фоторезистов

EUV-фоторезист, наряду с литографическими системами крайнего ультрафиолета, является ключевым материалом для производства чипов по нормам 5 нм и менее. В Уси (Китай) официально запустили первую в стране платформу, освоившую ключевые технологии производства EUV-фоторезистов.

Согласно информации с правительственного сайта Уси, 4 сентября 2025 года состоялось открытие Инновационного форума по развитию интегральных схем.

На мероприятии были анонсированы несколько важных проектов. Помимо платформ для вычислений, два других привлекли особое внимание:

«Опытно-промышленная линия наноразмерных фоторезистов Уси для передовых полупроводниковых процессов стала первой в стране инновационной платформой, освоившей ключевое сырье, рецептуры и технологии применения фоторезистов типа MOR (metal oxide resist). Разрабатываемые и производимые здесь фоторезисты будут соответствовать мировым стандартам высшего уровня».

Второй проект — опытно-промышленная линия синтеза смол для фоторезистов в Цзянсу — является единственной в стране платформой для НИОКР, использующей технологию непрерывного потока для производства смол для фоторезистов. Она первой применила оборудование и технологию полимеризации для стабильного синтеза высокомолекулярных соединений.

Фоторезист типа MOR — это новая технология для эпохи EUV-литографии. Он относится к металлооксидным резистам, которые приходят на смену химически усиленным резистам (CAR (chemically amplified resist)), используемым в DUV-литографии. MOR — один из ключевых материалов для повышения разрешения литографии, уменьшения расстояния между затворами и снижения уровня дефектов.

Передовые EUV-фоторезисты необходимы не только для процессов 5 нм и тоньше, но и для производства памяти DRAM, которая постепенно переходит на EUV-технологии. Флеш-память NAND пока не требует EUV-процессов, но в будущем для дальнейшего увеличения плотности и ей понадобятся технологии крайнего ультрафиолета.