Китайские ученые нашли способ снизить дефекты при производстве чипов на 99%

Китайские исследователи из Пекинского университета и Университета Цинхуа обнаружили метод, позволяющий снизить плотность дефектов при производстве чипов на 99% с использованием существующего оборудования DUV-литографии. Исследование опубликовано в журнале Nature.

Ученые впервые визуализировали поведение молекул фоторезиста в процессе проявления с помощью криогенной электронной томографии (cryo-ET). Метод позволил воссоздать трёхмерную структуру полимеров фоторезиста в гидратированном состоянии с разрешением менее 5 нм.

Исследование показало, что молекулы фоторезиста скапливаются в кластеры на границе раздела газ-жидкость, а не равномерно распределяются в растворе, что и вызывает дефекты. Ученые установили, что небольшое увеличение температуры постэкспозиционного отжига (PEB) со 95°C до 105°C и поддержание непрерывного слоя проявителя предотвращает образование этих кластеров.

Однако метод имеет серьезные ограничения для практического применения. Хотя повышение температуры PEB эффективно для DUV-литографии, оно катастрофически влияет на процессы EUV-литографии, используемые в современных технологических узлах. При температурах около 105°C значительно ухудшается разрешение и равномерность линий, что делает метод непригодным для производства передовых чипов.

Несмотря на научную ценность работы, её практическое влияние на полупроводниковую промышленность ограничено, поскольку ведущие производители чипов уже эмпирически решают проблему кластеризации в своих передовых процессах.

Источник: Tomshardware.com