Samsung впервые внедряет 3D-транзисторы в чипы памяти

С момента, когда Intel впервые представила транзисторы FinFET на 22-нм технологическом процессе, логические чипы официально вступили в 3D-эру. Теперь Samsung планирует первой внедрить технологию 3D-транзисторов в чипах флеш-памяти.

FinFET — это транзистор с трёхмерной структурой, напоминающей плавник (fin), что и дало название этой технологии. По сравнению с традиционными 2D-планарными транзисторами FinFET имеет множество преимуществ. Intel первой использовала их на 22-нм узле, после чего TSMC и Samsung внедрили технологию на 14/16-нм процессах. Сегодня это базовая структура для передовых производственных процессов.

Из-за различий в структуре чипы памяти долгое время сохраняли традиционную 2D-структуру транзисторов. На недавней конференции SEDEX 2025 технический директор подразделения оборудования Samsung DS Сон Джэ Хёк выступил с ключевым докладом, в котором отметил, что для достижения ожидаемой клиентами производительности и энергоэффективности необходимо размещать больше транзисторов на единицу площади, и 3D FinFET является одной из ключевых инновационных технологий.

Это заявление Samsung означает, что компания впервые в отрасли начнёт использовать технологию 3D-транзисторов в чипах NAND флеш-памяти, что значительно повысит плотность хранения данных и производительность.

С переходом на 3D-транзисторы в флеш-памяти Samsung отмечает множество преимуществ, включая увеличение скорости передачи сигналов, снижение энергопотребления и уменьшение размеров.

Однако это заявление Samsung пока носит технологический характер. Компания ещё не определила, какие именно чипы флеш-памяти получат 3D-транзисторы, и до коммерциализации технологии придётся подождать.