Samsung делает ставку на 2-нанометровую литографию и запускает стратегию «выбора и концентрации»

Samsung начал внедрение новой операционной стратегии, направленной на ускорение разработки 2-нанометрового литографического процесса с транзисторами типа GAA (Gate-All-Around). Компания планирует увеличить эффективность производства до 70% в течение ближайших шести месяцев, что позволит начать массовый выпуск чипов к концу 2025 года. По данным источников, клиентам придется оставаться на этой технологии в течение следующих 2–3 лет.

Информация поступила из отчета южнокорейского издания Chosun, которое раскрыло детали внутренней программы Samsung под названием «Selection & Concentration». Команда по бизнес-поддержке и Samsung Global Research ведут активные переговоры с потенциальными партнерами, убеждая их инвестировать в развитие 2-нанометровых чипов вместо рискованных экспериментов с менее перспективными суб-2-нанометровыми технологиями.

Samsung рассчитывает, что прогресс в литографии GAA поможет компенсировать многомиллиардные убытки, которые сейчас несет подразделение по производству полупроводников. Несмотря на предыдущие планы, компания была вынуждена перенести открытие своего завода в Техасе (США) на 2026 год, что также повлияло на задержки в разработке 1.4-нанометровой технологии.

Одновременно появились тревожные новости: Qualcomm якобы отказался от услуг Samsung в производстве процессоров Snapdragon 8 Elite Gen 2, несмотря на завершение тестовых партий. В результате TSMC может стать единственным производителем этих чипов, что станет серьезным ударом для южнокорейского гиганта.

Однако Samsung не сдается — компания уже завершила разработку второй генерации 2-нанометрового процесса и к 2027 году планирует внедрить следующую итерацию — SF2P+. Такая стратегия может помочь восстановить доверие клиентов и бросить вызов доминированию TSMC на рынке передовых литографий.