Micron анонсировала масштабные инвестиции в производство памяти в США

Компания Micron объявила о расширении стратегии строительства производственных мощностей в США, включая инвестиции в размере $150 млрд (~12.4 трлн руб.), создание фабрики по упаковке HBM-памяти в Вирджинии и вложения $50 млрд (~4.1 трлн руб.) в исследования и разработки. Первая новая фабрика компании в США за много лет начнёт работу во второй половине 2027 года.

После принятия закона CHIPS and Science Act в августе 2022 года Micron представила масштабные планы по строительству новых фабрик стоимостью свыше $115 млрд (~9.5 трлн руб.) в Айдахо и Нью-Йорке с целью производить 40% своей DRAM-продукции в США в течение следующего десятилетия. Новый план предполагает инвестиции в размере $200 млрд (~16.6 трлн руб.) в американское производство памяти и R&D в течение 20+ лет при поддержке правительства США.

Проект включает $150 млрд на производство и $50 млрд на R&D с созданием около 90 000 рабочих мест. Планируется строительство двух передовых DRAM-фабрик в Айдахо, четырёх фабрик в Нью-Йорке и центра по упаковке HBM в Вирджинии.

План на $200 млрд

Первая часть проекта — строительство одного из крупнейших и самых современных производств DRAM рядом с Бойсе (Айдахо), известного как Fab ID1. Чистая зона фабрики составит 600 000 кв. футов (~55 700 кв. м), что вдвое больше чистой зоны Fab 8 от GlobalFoundries и сопоставимо с масштабами фабрик Samsung и SK Hynix в Южной Корее.

Изображение: Micron

Fab ID1 достигла ключевого этапа строительства в июне 2025 года и должна начать выпуск пластин во второй половине 2027 года. Вторая фабрика в Айдахо (ID2) будет построена рядом с ID1, используя общую инфраструктуру. Производство на ID2 начнётся раньше, чем на нью-йоркской фабрике, хотя точные сроки не уточняются.

Строительство в Нью-Йорке планируется начать в конце 2025 года после экологической экспертизы. Там Micron построит четыре фазы производства с чистыми зонами по 600 000 кв. футов каждая.

Кроме новых фабрик, Micron модернизирует предприятие в Манассасе (Вирджиния), добавив мощности для сборки HBM-памяти. Однако производство HBM в США начнётся только после наращивания выпуска DRAM-пластин в Айдахо.

«Наши инвестиции в размере $200 млрд укрепят технологическое лидерство США, создадут десятки тысяч рабочих мест и обеспечат внутренние поставки полупроводников», — заявил CEO Micron Санджай Мехротра.

Неизвестные детали

Хотя Micron чётко обозначила планы по инвестициям в производство, график завершения большинства проектов остаётся неясным. Особенно интригует $50 млрд на R&D — это примерно 14-летний бюджет компании на исследования по текущим расходам.

Изображение: Micron

Micron рассчитывает на поддержку государства, включая до $6.4 млрд (~530 млрд руб.) финансирования по закону CHIPS для фабрик в Айдахо, Нью-Йорке и модернизации в Вирджинии.

Итоги

Micron планирует построить шесть DRAM-фабрик в США за 20+ лет (две в Айдахо и четыре в Нью-Йорке) с инвестициями $150 млрд и вложить $50 млрд в R&D. При этом основное производство памяти, включая NAND, останется за пределами США — в Японии, Сингапуре и Тайване.

ИИ: Интересно, как эти планы повлияют на глобальный рынок памяти, особенно учитывая текущую конкуренцию с Samsung и SK Hynix. Вложения в HBM-производство в США выглядят стратегически важными на фоне роста спроса на высокопроизводительную память для ИИ.

Источник: Tomshardware.com