TechInsights и SemiWiki опубликовали ключевые детали, которые Intel и TSMC раскрыли о своих будущих технологиях 18A (класс 1,8 нм) и N2 (класс 2 нм) на Международной конференции по электронным устройствам (IEDM). По данным TechInsights, 18A от Intel может обеспечить более высокую производительность, тогда как N2 от TSMC может обеспечить более высокую плотность транзисторов.

Аналитики TechInsights полагают, что N2 от TSMC предлагает плотность транзисторов стандартной ячейки высокой плотности (HD) 313 MTr/мм^2, что значительно превышает плотность ячеек HD Intel 18A (238 MTr/мм^2) и Samsung SF2/SF3P (231 MTr/мм^2). Хотя информация более или менее совпадает с размерами ячеек SRAM для 18A, N2 и N3, а также с ожиданиями TSMC для N2 и N3, есть несколько вещей, на которые следует обратить внимание.

Во-первых, это касается только ячеек стандарта HD. Практически все современные высокопроизводительные процессоры, которые опираются на передовые узлы, используют смесь ячеек стандарта высокой плотности (HD), высокой производительности (HP) и низкого энергопотребления (LP), не говоря уже о таких возможностях, как FinFlex и NanoFlex от TSMC.

Во-вторых, неясно, как сравниваются стандартные ячейки HP и LP от Intel и TSMC. Хотя логично предположить, что N2 имеет преимущество в плотности транзисторов, оно может быть не таким значительным, как преимущество в стандартных ячейках HD. В-третьих, в своих работах, представленных на мероприятии IEDM, и Intel, и TSMC раскрыли преимущества в производительности, мощности и плотности транзисторов своих производственных процессов следующего поколения 18A и N2 по сравнению с их предшественниками. Тем не менее, в настоящее время нет возможности сравнить эти две технологии изготовления лицом к лицу.

Что касается производительности, TechInsights полагает, что Intel 18A будет опережать TSMC N2 и Samsung SF2 (ранее известный как SF3P). Однако TechInsights использует спорный метод для сравнения производительности будущих узлов, поскольку он использует TSMC N16FF и 14-нм техпроцессы Samsung в качестве базовых показателей, а затем добавляет объявленные улучшения производительности узлов от обеих компаний, чтобы сделать свой прогноз. Хотя это может служить оценкой, она может быть не совсем точной.

С другой стороны, Intel специализируется на производстве высокопроизводительных процессоров, поэтому 18A может быть адаптирован для производительности и энергоэффективности, а не плотности транзисторов HD. В конце концов, 18A поддерживает PowerVia, заднюю сеть подачи питания, и чипы, которые ее используют, могут иметь преимущества в производительности и плотности транзисторов по сравнению с N2 от TSMC, который не поддерживает эту возможность. Однако это не означает, что каждый чип 18A будет использовать PowerVia.

Что касается мощности, аналитики TechInsights предполагают, что чип на основе N2 будет потреблять меньше энергии, чем аналогичная микросхема на основе SF2, поскольку TSMC обычно лидирует в энергоэффективности в последние годы. Что касается Intel, это еще предстоит выяснить, но по крайней мере 18A обеспечат преимущество в этой области.

Есть еще пара вещей, на которые стоит обратить внимание. Intel 18A должен поступить в массовое производство в середине 2025 года, когда Intel начнет производство своих процессоров Core Ultra 3-й серии «Panther Lake», которые появятся в продаже в конце этого года. Напротив, N2 от TSMC запланирован к массовому производству в конце 2025 года, и первые продукты, произведенные на этом узле, появятся не раньше середины 2026 года, а массовые продукты ожидаются осенью 2026 года. Samsung не раскрывает, когда именно ее SF2 поступит в HVM, указывая только «2025», что может означать любое время с первого по четвертый квартал этого года.

Источник: Tomshardware.com