DARPA США заключило с Raytheon трехлетний контракт на разработку новых типов транзисторов
Соединённые Шта́ты Аме́рики (США), часто используется Соединённые Штаты или просто Америка (англ. United States of America, USA, U.S., America) — государство в Северной Америке. Площадь — 9,5 млн км² (4-е место в мире). Население — 325 млн человек (2016, оценка; 3-е место в мире). Википедия
Читайте также:Возможная передача технологий ИИ в Китай: Cerebras откладывает IPO?Nintendo подала заявку на регистрацию будильника AlarmoAmkor и TSMC объединяют усилия для создания передовой упаковки в СШАСША приняли закон, освобождающий некоторые фабрики от экологических проверокПроизводители микросхем не обеспокоены закрытием кварцевых рудников в США из-за урагана Хелен
Цель Raytheon — возглавить продвижение этих материалов в устройства, оптимизированные как для современных, так и для следующего поколения радаров и систем связи, таких как радиочастотные переключатели, ограничители и усилители мощности, расширяющие их возможности и диапазон. Это включает в себя применение в кооперативном зондировании, радиоэлектронной борьбе, направленной энергии и интеграции в высокоскоростные системы оружия, такие как гиперзвуковые.
GaN с шириной запрещенной зоны 3,4 эВ уже является ведущим материалом в мощных и высокочастотных полупроводниках. Синтетический алмаз имеет потенциал превзойти возможности GaN (с шириной запрещенной зоны около 5,5 эВ) в приложениях, где критически важны высокочастотные характеристики, высокая подвижность электронов, экстремальное управление тепловым режимом, более высокая мощность и долговечность. Однако синтетический алмаз является новым материалом для полупроводников, и все еще существуют проблемы, связанные с его массовым производством. Нитрид алюминия (AlN) имеет еще более широкую запрещенную зону около 6,2 эВ, что делает его еще более подходящим для вышеупомянутых приложений. Raytheon еще не разработала соответствующие полупроводники.
На первом этапе контракта команда Raytheon Advanced Technology сосредоточится на разработке полупроводниковых пленок на основе алмаза и нитрида алюминия. На втором этапе основное внимание будет уделено совершенствованию и совершенствованию технологии алмаза и нитрида алюминия для использования на пластинах большего диаметра, в частности, для сенсорных приложений.
По условиям контракта Raytheon должна завершить обе фазы за три года, что подчеркивает срочность проекта. У Raytheon уже есть большой опыт в интеграции GaN и GaAs в радиолокационные приложения, поэтому, похоже, DARPA обратилась к правильной компании.
«Это значительный шаг вперед, который снова произведет революцию в полупроводниковой технологии», — сказал Колин Уилан, президент Advanced Technology компании Raytheon. «Raytheon имеет обширный подтвержденный опыт разработки подобных материалов, таких как арсенид галлия и нитрид галлия для систем Министерства обороны. Объединив эту новаторскую историю и наш опыт в области передовой микроэлектроники, мы будем работать над тем, чтобы эти материалы стали более зрелыми для будущих применений».
Источник: Tomshardware.com
0 комментариев