Великобритания инвестирует в новую память UltraRAM
DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам. Википедия
Читайте также:По прогнозам TrendForce, в следующем квартале потребительские цены на DRAM и VRAM вырастут на 8%Micron развивает технологию DRAM с помощью EUV-литографииПрофсоюз Samsung объявил забастовкуПланы Micron по созданию дополнительного завода DRAM в Хиросиме отложены до 2027 годаПланы Samsung: 16-слойная 3D DRAM с использованием VCT DRAM
Чтобы предложить свои уникальные свойства, UltraRAM использует квантово-резонансное туннелирование, используемое в фотонных устройствах, таких как светодиоды, лазерные диоды и инфракрасные детекторы, но не в электронных устройствах массового производства. С точки зрения полупроводниковых устройств, UltraRAM представляет собой составное устройство, состоящее из слоев GaSb, InAs и AlSb, нанесенных друг на друга с использованием метода молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE), который никогда не использовался для производства памяти (по крайней мере, за пределами научных кругов).).
«Мы рады, что Innovate UK поддерживает этот амбициозный проект и что IQE взяла на себя обязательство разработать первую часть массового производства UltraRAM», — сказал профессор Хейн. «Эта последняя награда увеличивает общую сумму нашего грантового финансирования до 4 миллионов фунтов стерлингов».
Изображение: Lancaster University
Основная цель этого годового проекта — увеличить размеры пластин UltraRAM с 75 мм, производимых в Ланкастере, до 150 мм в IQE, британской полупроводниковой компании, владеющей Quinas. Это будет достигнуто с использованием металлоорганического химического осаждения из паровой фазы (MOCVD), а не молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE), обычно используемой в академических учреждениях. В отчете говорится, что IQE будет использовать большую часть финансирования проекта для перевода сложных полупроводниковых слоев, разработанных в Ланкастерском университете, в масштабируемый промышленный процесс на своем предприятии в Кардиффе.
Значительная часть этой разработки включает в себя IQE, расширяющий возможности выращивания сложных полупроводников GaSb и AlSb. Ланкастерский университет проведет первоначальную эпитаксию MBE, чтобы установить ориентир для промышленного роста, а затем IQE будет производить эти полупроводники в более крупных масштабах. Ланкастер оценит качество и характеристики производимого материала.
Одновременно Ланкастерский университет будет работать над уменьшением размера отдельных устройств UltraRAM и созданием массивов большего размера. Этот процесс направлен на то, чтобы в конечном итоге продемонстрировать возможность изготовления UltraRAM на целой 200-миллиметровой пластине, чего недостаточно для коммерческой конкуренции с 3D NAND и DRAM, но его можно использовать в качестве доказательства концепции.
Великобрита́ния (русское название происходит от англ. Great Britain), или Соединённое Короле́вство (United Kingdom, сокр. UK), полная официальная форма — Соединённое Короле́вство Великобрита́нии и Се́верной Ирла́ндии (англ. The United Kingdom of Great Britain and Northern Ireland) — суверенное государство у северо-западного побережья континентальной Европы, состоящее из Англии, Уэльса, Шотландии и Северной Ирландии. Википедия
Читайте также:Продажи игр в Великобритании упали на 30%Valve грозит иск Steam на 840 миллионов долларов в суде ВеликобританииКрупнейший ритейлер видеоигр в Великобритании закрывает программу вознаграждения покупателей
Источник: Tomshardware.com
0 комментариев