Гонка за 2-нм техпроцессом накаляется — Samsung обсудит свой 2-нм узел следующего поколения в июне

Компания Samsung представит ключевые подробности о своей технологии производства SF2 на сессии 19 июня 2024 года. Согласно собственному описанию компании, предстоящий узел еще больше усовершенствует архитектуру многомостовых полевых транзисторов Samsung с помощью уникального эпитаксиального и интеграционного процесса. Это позволит повысить производительность транзисторов на 11–46 процентов и снизить изменчивость по сравнению с неуказанным техпроцессом на основе FinFET на 26%, одновременно снизив утечку примерно на 50%.

«Обнаружено, что MBCFET 3-го поколения (SF2) с учетом характеристик продукта полностью максимизирует все преимущества затвора за счет внедрения уникального эпитаксиального и интеграционного процесса, который преодолевает конфликт масштабирования и структуры GAA с выгодой от продукта», — говорится в описании Samsung. «Основной узкий NS-транзистор продукта был усилен N / PFET +29/+46%, а также широким NS-транзистором +11/+23%. Кроме того, за счет уменьшения глобальных отклонений транзисторов на 26% от FinFET, продукта Распределение утечек было значительно увеличено примерно на 50%».

Business Korea сообщает, что Samsung не только расширяет технологические границы, но и укрепляет свою экосистему для своего 2-нм производственного процесса. Компания работает с более чем 50 партнерами по интеллектуальной собственности (IP) и владеет более чем 4000 правами интеллектуальной собственности, хотя по понятным причинам лишь немногие из них нацелены на узлы GAA в целом и SF2 в частности. Между тем, ранее в этом году Samsung и Arm подписали соглашение о совместной оптимизации ядер Cortex-X и Cortex-A для универсальных производственных технологий Samsung на основе транзисторов.

Сообщается, что разработка инфраструктуры проектирования технологии SF2 от Samsung будет завершена во втором квартале 2024 года, когда партнеры компании по разработке чипов смогут приступить к разработке продуктов для производственного узла.

Кстати, в этом году Samsung собирается начать производство чипов с использованием 3-нм техпроцесса второго поколения, получившего название SF3. Узел Samsung первого поколения 3-нм класса под названием SF3E не имел особого успеха, поскольку компания в основном производила чипы для майнинга криптовалюты по этой технологии. Но Samsung надеется, что ее узел SF3 получит более широкое распространение и получит более сложные конструкции, включая продукты для центров обработки данных.

Идет гонка за начало поставок 2-нм техпроцесса. Поскольку этим летом Samsung подробно расскажет о технических характеристиках конструкции, мы ожидаем, что увидим первые продукты на базе Samsung SF2 в 2025 году. Они будут конкурировать с семейством 2-нм узлов TSMC, включая N2P. Intel Foundry также работает над своим 2-нм узлом Intel 18A, первые образцы которого могут быть представлены к концу 2024 года. Решения Intel 20A также находятся в разработке и должны быть выпущены в этом году. Как в конечном итоге будут складываться различные технологические процессы, еще предстоит увидеть.