Samsung разрабатывает модули памяти DDR5 емкостью 512 ГБ

Модули памяти Samsung DDR5 имеют емкость 512 ГБ - на основе технологического узла HKMG и обеспечивают скорость вывода до 7200 Мбит/с

Что касается технических характеристик, память Samsung DDR5 объемом 512 ГБ предлагает вдвое большую производительность, чем память DDR4, со скоростью до 7200 МБ/с. Память имеет в общей сложности 40 микросхем DRAM, каждая из которых имеет восемь слоев модулей DRAM емкостью 16 Гбайт, объединенных в стек и подключенных к TSV (Through-Silicon-Via).

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила сегодня о том, что она расширила свой портфель памяти DDR5 DRAM первым в отрасли модулем DDR5 емкостью 512 ГБ, основанным на техпроцессе High-K Metal Gate (HKMG). Обеспечивая более чем вдвое большую производительность по сравнению с DDR4 со скоростью до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с), новая DDR5 будет способна управлять самыми требовательными к вычислениям и высокопроизводительными рабочими нагрузками в суперкомпьютерах, искусственном интеллекте (AI) и машинном обучении (ML), а также в приложениях для анализа данных.

«Samsung - единственная полупроводниковая компания, обладающая возможностями, а также опытом, позволяющим использовать передовые логические технологии HKMG при разработке продуктов памяти», - сказал Янг-Су Сон, вице-президент группы планирования и поддержки памяти DRAM в Samsung Electronics. «Внедряя этот тип технологических инноваций в производство DRAM, мы можем предложить нашим клиентам высокопроизводительные, но при этом энергоэффективные решения в области памяти для питания компьютеров, необходимых для медицинских исследований, финансовых рынков, автономного вождения, умных городов и не только».

В DDR5 от Samsung будет использоваться передовая технология HKMG, которая традиционно использовалась в логических полупроводниках. При продолжающемся уменьшении размера структур DRAM изоляционный слой истончается, что приводит к более высокому току утечки. Заменив изолятор материалом HKMG, DDR5 от Samsung сможет уменьшить утечку и достичь новых высот в производительности. Эта новая память также будет потреблять примерно на 13% меньше энергии, что делает её особенно подходящей для центров обработки данных, где энергоэффективность становится все более важной.

Процесс HKMG впервые в отрасли был внедрен в память Samsung GDDR6 в 2018 году. Расширяя использование DDR5, Samsung еще больше укрепляет свое лидерство в технологии DRAM нового поколения.

Используя технологию сквозного прохождения через кристалл (TSV), DDR5 от Samsung объединяет восемь слоев микросхем DRAM емкостью 16 Гбайт, обеспечивая максимальную емкость - 512 Гбайт. TSV впервые был использован в DRAM в 2014 году, когда Samsung представила серверные модули емкостью до 256 ГБ.

Samsung не сообщает дату запуска DDR5. Мы можем ожидать выход к концу этого года, поскольку платформы под память DDR5 от Intel и AMD начнут поступать в магазины.