Samsung разрабатывает модули памяти DDR5 емкостью 512 ГБ

Samsung

Samsung Group (произносится «Сáмсунг Груп», кор. 삼성그룹, Samseong Gurub, Samsŏng Gurup) — южнокорейская группа компаний, один из крупнейших чеболей, основанный в 1938 году. На мировом рынке известен как производитель высокотехнологичных компонентов, телекоммуникационного оборудования, бытовой техники, аудио- и видеоустройств. Главный офис компании расположен в Сеуле. Википедия

Читайте также:Samsung начнет производство OLED-экранов LTPO для iPhone 13 ProApple и Samsung стали крупнейшими заказчиками полупроводниковой продукции в 2020 годуSamsung представила быстрый SSD-накопитель EVO 870Инсайдер: Samsung в будущем представит свои чипсеты Exynos для компьютеровSamsung представила недорогие смартфоны с ёмкими аккумуляторами

объявила о разработке первого в отрасли модуля памяти DDR5 с впечатляющей емкостью 512 ГБ. Модули памяти предназначены для искусственного интеллекта/машинного обучения, гипермасштабных вычислений, аналитики, работы в сети и других рабочих нагрузок с большим объемом данных.

Модули памяти Samsung DDR5 имеют емкость 512 ГБ - на основе технологического узла HKMG и обеспечивают скорость вывода до 7200 Мбит/с

Samsung заявляет, что модули

Модуль (от лат. modulus — «маленькая мера»): Модуль — функционально завершённый узел радиоэлектронной аппаратуры, оформленный конструктивно как самостоятельный продукт. См. также: унификация. Википедия

памяти DDR5 на 512 ГБ предложат самую плотную емкость из когда-либо созданных. Модули памяти будут оснащены технологическим узлом HKMG или High-K Metal Gate, который также использовался Samsung для производства модулей GDDR6 VRAM. Узел процесса позволяет модулям памяти использовать на 13% меньше энергии, а также снижает утечки энергии.

Что касается технических характеристик, память Samsung DDR5 объемом 512 ГБ предлагает вдвое большую производительность, чем память DDR4, со скоростью до 7200 МБ/с. Память имеет в общей сложности 40 микросхем DRAM, каждая из которых имеет восемь слоев модулей DRAM емкостью 16 Гбайт, объединенных в стек и подключенных к TSV (Through-Silicon-Via).

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила сегодня о том, что она расширила свой портфель памяти DDR5 DRAM первым в отрасли модулем DDR5 емкостью 512 ГБ, основанным на техпроцессе High-K Metal Gate (HKMG). Обеспечивая более чем вдвое большую производительность по сравнению с DDR4 со скоростью до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с), новая DDR5 будет способна управлять самыми требовательными к вычислениям и высокопроизводительными рабочими нагрузками в суперкомпьютерах, искусственном интеллекте (AI) и машинном обучении (ML), а также в приложениях для анализа данных.

«Samsung - единственная полупроводниковая компания, обладающая возможностями, а также опытом, позволяющим использовать передовые логические технологии HKMG при разработке продуктов памяти», - сказал Янг-Су Сон, вице-президент группы планирования и поддержки памяти DRAM в Samsung Electronics. «Внедряя этот тип технологических инноваций в производство DRAM, мы можем предложить нашим клиентам высокопроизводительные, но при этом энергоэффективные решения в области памяти для питания компьютеров, необходимых для медицинских исследований, финансовых рынков, автономного вождения, умных городов и не только».

«Поскольку объем данных, которые необходимо перемещать, хранить и обрабатывать, растет экспоненциально, переход на DDR5 появляется в критический момент для облачных центров обработки данных, сетей и периферийных развертываний», - сказала Кэролин Дюран, вице-президент и генеральный директор по технологиям памяти и ввода-вывода в компании Intel

Thumbnail: Intel«И́нтел» («Intel Corp.», МФА: [ˈɪntɛl ˌkɔːpə'reɪʃən]) — производитель электронных устройств и компьютерных компонентов (включая микропроцессоры, наборы системной логики (чипсеты) и др). Штаб-квартира — в Санта-Кларе (США, штат Калифорния). Википедия

Читайте также:Процессоры Intel Meteor Lake на основе 7-нм техпроцесса выйдут в 2023 годуIntel демонстрирует 8-ядерные 10-нм процессоры Tiger Lake на частоте 5 ГГцIntel представила процессоры Rocket Lake 11-го поколенияВ базе Geekbench появился новый мобильный процессор Intel Alder Lake 12-го поколенияФлагман Intel Core i9-11900K Rocket Lake на 7% быстрее конкурента от AMD

. «Команды инженеров Intel в тесном сотрудничестве с лидерами в области памяти, такими как Samsung, создают быструю, энергоэффективную память DDR5, которая оптимизирована по производительности и совместима с нашими будущими процессорами Intel Xeon Scalable под кодовым названием Sapphire Rapids».

В DDR5 от Samsung будет использоваться передовая технология HKMG, которая традиционно использовалась в логических полупроводниках. При продолжающемся уменьшении размера структур DRAM изоляционный слой истончается, что приводит к более высокому току утечки. Заменив изолятор материалом HKMG, DDR5 от Samsung сможет уменьшить утечку и достичь новых высот в производительности. Эта новая память также будет потреблять примерно на 13% меньше энергии, что делает её особенно подходящей для центров обработки данных, где энергоэффективность становится все более важной.

Процесс HKMG впервые в отрасли был внедрен в память Samsung GDDR6 в 2018 году. Расширяя использование DDR5, Samsung еще больше укрепляет свое лидерство в технологии DRAM нового поколения.

Используя технологию сквозного прохождения через кристалл (TSV), DDR5 от Samsung объединяет восемь слоев микросхем DRAM емкостью 16 Гбайт, обеспечивая максимальную емкость - 512 Гбайт. TSV впервые был использован в DRAM в 2014 году, когда Samsung представила серверные модули емкостью до 256 ГБ.

Samsung не сообщает дату запуска DDR5. Мы можем ожидать выход к концу этого года, поскольку платформы под память DDR5 от Intel и AMD начнут поступать в магазины.

Подписаться на обновления Новости / Технологии

14

1

Лучший рейтинг за неделю

14

8

4

0 комментариев

Оставить комментарий