Ученые из Национальной лаборатории Эймса в сотрудничестве с группой Индранила Даса из Саха института ядерной физики (Индия) обнаружили неожиданную электронную особенность в соединениях переходных металлов, которая может проложить путь к новому классу спинтронных материалов для вычислительной техники
Читать дальше →
Исследовательская группа из Национального института науки и технологий Ульсана (UNIST) совершила прорыв в управлении спиновыми сигналами в новом магнитном материале, прокладывая путь для электронных устройств следующего поколения. Их работа демонстрирует метод обратимого переключения направления
Читать дальше →
Исследователи из Токийского научного института (Science Tokyo) продемонстрировали способ электрического управления хиральностью гибридных материалов. Метод позволяет обратимо настраивать хиральные электронные состояния, что открывает новые возможности для спинтроники и зарождающейся области
Читать дальше →
Ключевой особенностью спинтронных устройств является их способность использовать спиновые токи для передачи импульса, что обеспечивает энергоэффективное и высокоскоростное хранение и управление логическими сигналами. Обычно такие устройства управляются электрическими токами и полями, а ключевой
Читать дальше →
Исследователи из Федеральной политехнической школы Лозанны (EPFL) и других институтов представили новый подход к созданию магнитных материалов с заданной хиральностью спинов. Вдохновением послужила форма архимедова винта. Работа опубликована в журнале Nature Nanotechnology.Хиральность спинов —
Читать дальше →
Международная группа учёных экспериментально подтвердила, что тонкие плёнки диоксида рутения (RuO₂) обладают альтермагнетизмом. Это свойство определяет третий фундаментальный класс магнитных материалов, который может преодолеть ограничения современных устройств памяти.Исследователи создали
Читать дальше →
Исследовательская группа под руководством Рё Симано из Токийского университета впервые визуализировала два различных механизма переключения спинов в антиферромагнетике — материале, в котором магнитные моменты атомов скомпенсированы. Один из этих механизмов может стать основой для создания
Читать дальше →
Ученые из Университета Васэда в Японии разработали новый подход к созданию наноразмерных логических устройств, используя коллективное поведение магнитных скирмионов — частицеподобных спиновых текстур в магнитных материалах.В отличие от предыдущих исследований, которые фокусировались на
Читать дальше →
Исследователи из Института молекулярных наук (IMS) окончательно разрешили двадцатилетнюю дискуссию о направлении спина электронов на поверхности золота.С помощью современного микроскопа фотоэлектронного импульса (PMM) на синхротроне UVSOR команда получила полные двумерные снимки поверхностного
Читать дальше →
Европейская исследовательская группа под руководством физиков из Словацкой академии наук разработала теоретический подход для управления спиновыми токами в графене с помощью ферроэлектрического переключения. Ученые показали, что изменение поляризации ферроэлектрического материала In₂Se₃ может
Читать дальше →
Новое исследование показало, что изолирующие буферные слои больше не требуются для ультратонких магнитных устройств типа «гоночная трасса», что открывает новые пути для их бесшовной интеграции с функциональными подложками.Современные вычислительные устройства полагаются на технологии памяти,
Читать дальше →
Современные компьютеры сталкиваются с проблемой: данные хранятся в магнитных накопителях, а обрабатываются с помощью электричества. Постоянный перенос информации между магнитной и электрической системами создаёт «бутылочное горлышко», ограничивающее скорость вычислений.
Новое теоретическое
Читать дальше →
Исследователи совершили прорыв в спинтронике — технологии, использующей не только заряд, но и спин электронов для создания более быстрых и энергоэффективных устройств. Открытие может привести к созданию нового поколения чипов памяти, сочетающих высокую скорость с низким энергопотреблением.В
Читать дальше →
В современных электронных устройствах для хранения и обработки информации обычно используется заряд электронов. В спинтронике же фокус смещён на магнитный момент или магнитные вихри, так называемые скирмионы — это позволяет создавать более компактные, быстрые и энергоэффективные компьютеры. Чтобы
Читать дальше →
Международная группа исследователей из Германии, Японии и Канады совершила важное открытие в области полупроводников, обнаружив выдающиеся спиновые свойства сплава германий-олово (GeSn).«Полупроводники приближаются к своим физическим и энергетическим пределам в плане скорости,
Читать дальше →
Новое исследование, опубликованное в Journal of Physics D: Applied Physics, показывает, что спиновые волны (магноны) внутри ферримагнетиков — материалов, чьи магнитные моменты частично компенсируют друг друга, — ведут себя аналогично электронам и дыркам в полупроводниках. Автор работы Адам Б. Кахая
Читать дальше →
Исследователи из Института Макса Борна в Берлине вместе с коллегами из Берлина и Нанси обнаружили, что процесс сверхбыстрого перемагничивания материалов с помощью лазерных импульсов происходит не так, как считалось ранее. Вместо равномерного переключения по всему объему материала ученые наблюдали
Читать дальше →
Спинтронные устройства станут ключом к созданию более быстрых и энергоэффективных компьютеров. Чтобы лучше понять, как их производить, команда Университета Кобе продемонстрировала, как различные производственные технологии влияют на свойства материалов ключевого компонента.Электронные
Читать дальше →
Южнокорейские учёные совершили прорыв в спинтронике — технологии, которая использует собственный угловой момент электронов (спин) вместо электрического заряда для обработки информации. Это обещает создание более быстрых и энергоэффективных устройств хранения данных и логических схем.Исследователи
Читать дальше →
Ученые из Корейского университета и Сеульского национального университета разработали магнитные наноспирали, способные контролировать направление спинов электронов при комнатной температуре. Это достижение может значительно продвинуть развитие спинтроники — технологии, использующей собственный
Читать дальше →
