Учёные открыли новый тип магнетизма для памяти будущих ИИ

Международная группа исследователей экспериментально подтвердила, что сверхтонкие плёнки диоксида рутения (RuO₂) обладают альтермагнетизмом. Это явление представляет собой третий фундаментальный класс магнитных материалов, который может стать основой для более быстрой и плотной памяти будущего.

Исследователи обнаружили новое магнитное свойство в диоксиде рутения, которое может привести к созданию более быстрой и плотной памяти. Предоставлено: AI/ScienceDaily.com

Учёные из Национального института материаловедения Японии (NIMS), Токийского университета, Киотского технологического института и Университета Тохоку смогли создать высококачественные плёнки RuO₂ с единой кристаллографической ориентацией на сапфировых подложках. Это позволило впервые надёжно зафиксировать альтермагнитные свойства материала.

Альтермагнеты сочетают в себе преимущества двух известных типов магнитных материалов. Как и ферромагнетики, они позволяют легко считывать информацию с помощью электрических сигналов, а как и антиферромагнетики — устойчивы к внешним магнитным помехам, что критически важно для увеличения плотности хранения данных.

Используя метод рентгеновского магнитного линейного дихроизма, команда подтвердила, что общая намагниченность плёнок равна нулю, но при этом существует спин-зависимое магнетосопротивление. Эти экспериментальные данные совпали с теоретическими расчётами, окончательно доказывая альтермагнитную природу RuO₂.

Исследователи считают, что память на основе таких материалов может стать основой для более быстрых и энергоэффективных систем обработки информации, включая системы искусственного интеллекта. Методы анализа, разработанные в ходе работы, также помогут в поиске других перспективных альтермагнитных материалов.

Исследование было опубликовано в журнале Nature Communications 24 сентября 2025 года.