Исследователи из Национальной ускорительной лаборатории SLAC Министерства энергетики США разработали метод, который значительно повышает точность подготовки ультратонких срезов клеток для криоэлектронной томографии (cryoET).Метод cryoET позволяет получать 3D-изображения внутренней архитектуры
Читать дальше →
Исследователи из Китая совершили значительный прорыв в области производства полупроводников, который может ускорить развитие передовых технологических процессов 7 нм и ниже.
Команда профессора Пэн Хайлиня из Пекинского университета в сотрудничестве с другими исследователями впервые использовала
Читать дальше →
