Память DRAM теперь дороже пластин TSMC по 2-нм техпроцессу

Рынок памяти оказался в очень необычной ситуации. Согласно последним расчётам, 1 мм² современной памяти 1b DRAM сегодня имеет более высокую продажную стоимость, чем 1 мм² пластины, производимой по передовому 2-нм техпроцессу TSMC. Разница достигает примерно 54%.

Данные взяты из анализа Kernel Insight. Компания приняла, что 300-миллиметровая пластина TSMC N2 стоит около 30000 долларов (~2,4 млн рублей), что даёт примерно 0,424 доллара за мм². Для сравнения N3 оценили примерно в 20000 долларов за пластину (~1,6 млн рублей), то есть 0,283 доллара за мм². В случае 1b DRAM ситуация выглядит ещё интереснее. Плотность такой памяти составляет около 0,436 Гбит/мм², а при принятой цене 1,50 доллара за гигабит это даёт 0,654 доллара за мм². Это примерно на 54% больше, чем у N2 от TSMC.

Здесь стоит уточнить одну вещь: это не означает, что DRAM дороже в производстве, чем целая пластина TSMC, выполненная по 2-нм техпроцессу. Сравниваются два разных показателя. Для TSMC речь идёт о цене пластины, взимаемой с клиента, тогда как для DRAM — о потенциальной продажной стоимости памяти, полученной с данной площади кремния. Само производство DRAM остаётся значительно менее сложным, чем передовой логический процесс N2. Тем не менее цифры хорошо показывают масштаб текущей ситуации. 16 Гбит DDR5 eTT стоила 21 сентября в среднем 24,80 доллара (~2000 рублей), то есть около 1,55 доллара за гигабит. Принятые в анализе 1,50 доллара, таким образом, не оторваны от текущего рынка.

Вот CXMT G5 в сравнении с продуктами D1b и D1c большой тройки. Обратите внимание на размер элемента и ячейки + плотность, вероятно, вписывающиеся между 1b и 1c.

Учтите, что пластины 1b DRAM сейчас стоят даже дороже, чем TSMC N2.

CXMT будет наращивать производство G4 и G5 в течение следующих пары лет.… pic.twitter.com/rAgUuEHuV4
— tphuang (@tphuang) 21 сентября 2026

Более того, даже более старая память 1z DRAM с плотностью 0,273 Гбит/мм² при аналогичном пересчёте достигает около 0,410 доллара за мм². Это практически столько же, сколько у 2-нм TSMC. Ещё несколько лет назад такой расклад сил выглядел бы абсурдно. Причина проста: спрос на память взлетел, а рынок по-прежнему сталкивается с ограниченным предложением. Расширение инфраструктуры ИИ увеличило потребность в DRAM и HBM, и производители направляют всё большую часть мощностей именно на наиболее доходные продукты для дата-центров. Это подстёгивает цены и в остальных сегментах.

Ситуация, к сожалению, не вернётся к норме слишком быстро. Samsung уже работает над следующим поколением DRAM с использованием технологии «hybrid bonding», где слой ячеек памяти и управляющая логика будут создаваться отдельно, а затем соединяться. Такой процесс будет дороже и может дополнительно поднять цены на новые модули памяти. Но наиболее показательно само сравнение. Технология 2 нм TSMC относится к самым передовым производственным процессам в мире, и всё же один квадратный миллиметр современной DRAM сегодня способен генерировать большую стоимость. Это лучше всего показывает, насколько сильно бум ИИ перевернул рынок полупроводников.

Цены сконвертированы автоматически, реальные цены могут отличаться.