Смартфоны нового поколения могут получить память LLW вместо LPDDR

Смартфоны сталкиваются с проблемой памяти, которую не решить простым обновлением программного обеспечения. Производители пытаются запускать на устройствах всё более крупные AI-модели, и хотя мобильные процессоры способны обрабатывать их локально, текущая технология памяти LPDDR имеет ограничения по скорости передачи данных.

Как сообщается, для решения этой проблемы разрабатывается новый формат памяти LLW (Low Latency Wide DRAM). Эта технология вдохновлена HBM (High Bandwidth Memory), используемой в AI-датацентрах, которая достигает высокой скорости за счет размещения нескольких слоев памяти вблизи процессора и соединения их через чрезвычайно широкий интерфейс. Результат — пропускная способность в 10-15 раз выше, чем у лучшей современной LPDDR памяти.

Однако HBM требует сложных решений по упаковке и охлаждению, неприменимых в смартфонах. LLW же обещает обеспечить более высокую пропускную способность и меньшую задержку без тепловых и пространственных ограничений, присущих многослойным конструкциям.

Стоит отметить, что информация пока исходит от отраслевых блогеров и инсайдеров, а не от официальных заявлений компаний. Согласно утечке от инсайдера Fixed Focus Digital, LLW может снизить энергопотребление примерно на 50% при повышении производительности примерно в 1,5 раза.

Что касается сроков появления, та же утечка предполагает, что до массового внедрения LLW еще несколько лет. Ожидается, что более масштабное развертывание технологии начнется не ранее второй половины 2027 года. Потенциальными первыми пользователями называются Xiaomi и Huawei, хотя ни одна из компаний официально не комментировала эту технологию.