Ведущий эксперт оценил «закон Тао» от Huawei: обход литографии для 1,4 нм реален

Ведущий мировой эксперт в области автоматизации проектирования чипов и полупроводниковых технологий Эндрю Б. Кан (Andrew B. Kahng) в недавнем интервью публично высказался о «законе Тао» (τ), ранее представленном компанией Huawei. По его словам, эта новая техническая траектория в ряде ключевых аспектов действительно позволяет сократить цикл разработки по сравнению с традиционными методами.

Напомним, что ранее Хэ Тинбо, директор и президент полупроводникового бизнеса Huawei, официально представила «закон Тао (τ)». Его ключевая идея заключается в отказе от традиционного подхода, который последние полвека основывался на уменьшении физических размеров транзисторов для продвижения по техпроцессам.

Согласно опубликованным техническим прогнозам, к 2031 году высокопроизводительные чипы, созданные на основе закона Тао, смогут достичь эквивалентной плотности транзисторов, сравнимой с традиционным 1,4-нанометровым техпроцессом.

Эндрю Б. Кан прямо указал, что до 2031 года осталось всего пять лет. Исходя из этого, можно с высокой степенью уверенности предположить, что Huawei уже располагает как минимум одной полностью верифицируемой траекторией, способной обеспечить достижение заявленной технической цели, а соответствующие ключевые исследования находятся на весьма зрелой стадии.

Вся отрасль уже давно ощущает, что отдача от перехода на передовые техпроцессы постоянно снижается. Ключевые показатели — энергопотребление, производительность и площадь кристалла — при переходе с 5 нм на 3 нм, затем на 2 нм и далее на 1,4 нм улучшаются с каждым поколением всё медленнее.

Это означает, что технологический разрыв, который необходимо преодолеть закону Тао, на самом деле значительно меньше, чем можно было бы предположить, исходя из традиционного пути развития. Таким образом, практическая реализуемость всего нетрадиционного подхода гораздо выше, чем предполагали многие наблюдатели.