SK hynix представила 48-гигабайтную память HBM4E с пропускной способностью 4 ТБ/с

На выставке COMPUTEX 2026 компания SK hynix представила образец памяти HBM4E объемом 48 ГБ, выполненный по технологии 12-слойной вертикальной компоновки.

Новинка основана на 32-гигабитных чипах DRAM, произведенных по 1-нанометровому техпроцессу. Скорость передачи данных через контакты достигает 16,0 Гбит/с, а пропускная способность одного стека составляет 4,0 ТБ/с.

По заявлению производителя, по сравнению с предыдущим поколением, HBM4E обеспечивает на 38% более высокую пропускную способность и на 33% большую емкость одного чипа.

Память HBM4E демонстрирует значительные улучшения в производительности, емкости, энергоэффективности и отводе тепла. Она предназначена для крупных языковых моделей, генеративного ИИ и высокопроизводительных вычислений.

HBM (высокопроизводительная память с высокой пропускной способностью) является ключевым компонентом для ускорителей ИИ. Ее характеристики напрямую влияют на скорость обучения и вывода моделей искусственного интеллекта. В настоящее время рынок HBM контролируют три компании: Samsung, SK hynix и Micron.