Jusung Engineering впервые в мире поставила оборудование ALG для полупроводников нового поколения

Компания Jusung Engineering (周星工程) сегодня официально объявила о первой в мире поставке оборудования для атомно-слоевого роста (ALG) ведущему мировому производителю полупроводников.

Оборудование представляет собой полную интеграционную систему ALG для транзисторов, предназначенную для производства полупроводниковых транзисторов нового поколения с 3D-вертикальной укладкой. Из-за соглашений о конфиденциальности название клиента и объем поставок не раскрываются.

В процессе миниатюризации полупроводников ширина линий цепей уменьшилась до нанометрового уровня. Предельное уменьшение размеров транзисторов приводит к увеличению токов утечки, что, в свою очередь, значительно повышает энергопотребление чипов.

Для преодоления физических ограничений мировая полупроводниковая промышленность переходит от традиционных планарных транзисторов к трехмерным структурам: FinFET, транзисторам с кольцевым затвором (GAA) и вертикально уложенным транзисторным ячейкам. Поставленное оборудование ALG призвано решить проблему производства структур с высоким аспектным соотношением при вертикальной укладке.

Принцип традиционного атомно-слоевого осаждения (ALD) можно сравнить с укладкой снега в сугроб, в то время как технология ALG больше напоминает замерзание льда. По сравнению с ALD, ALG формирует пленки более высокого качества, более плотные и твердые.

Оборудование строит трехмерные пленки путем повторения процесса атомно-слоевого осаждения (ALD), что позволяет сократить количество этапов фотолитографии и травления, обеспечивая необходимую для транзисторов нового поколения степень покрытия и равномерность.

Технология осаждения не ограничивается типом материала подложки. Она может применяться не только для производства микросхем памяти, конденсаторов и транзисторов памяти, но и расширяться на такие области, как солнечная энергетика и дисплеи.

Технология решает проблему производства, связанную с высокой концентрацией примесей, и может использоваться для создания подложек из стекла, а также полупроводников нового поколения на основе соединений групп III-V и III-VI, таких как нитрид галлия, арсенид галлия и фосфид индия.

В настоящее время Jusung Engineering (周星工程) сотрудничает с несколькими глобальными компаниями из Северной Америки, Азии, Европы и Ближнего Востока в разработке соответствующего оборудования.